Аксід галію як чацвёртае пакаленне паўправадніковага матэрыялу

(Аксід галію як чацвёртае пакаленне паўправадніковага матэрыялу)

З прыняццем карбіду крэмнію (SiC) Tesla ў 2018 годзе і нітрыду галію Xiaomi ў 2020 годзе, паўправаднік трэцяга пакалення нарэшце атрымаў прызнанне на рынку і адкрыў магчымасці для распрацоўкі пасля 30 або 40 гадоў распрацоўкі. З тых часоў трэцяе пакаленне паўправаднікоў у новых энергетычных аўтамабілях, бытавой электроніцы і іншых галінах хуткага развіцця.

З распрацоўкай паўправаднікоў трэцяга пакалення ў самым разгары аксід галію, нітрыд алюмінія, алмаз і іншыя паўправадніковыя матэрыялы чацвёртага пакалення таксама пачалі прыцягваць увагу. Сярод іх аксід галію (Ga2O3) з'яўляецца паўправадніковым матэрыялам чацвёртага пакалення, які быў шырока заклапочаны і прызнаны міжнароднай прамысловасцю.

Японія знаходзіцца ў авангардзе даследаванняў аксіду галію. Першае прылада харчавання з аксіду галію было прадстаўлена ў Японіі ў 2012 годзе, высакаякасная монакрышталічная падкладка з аксіду галію была прадстаўлена ў 2015 годзе, а аднастайная эпітаксіяльная пласціна была прадстаўлена ў 2016 годзе. З тых часоў вынікі даследаванняў прылад на аснове матэрыялаў з аксіду галію пачалі выбухнуць. 

Раней падкладкі з аксіду галію ў асноўным вырабляліся метадам EFG. 

Метад EFG патрабуе росту крышталяў пры высокай тэмпературы і кіслародзмяшчальным асяроддзі каля 1800 ℃, што прад'яўляе высокія патрабаванні да асяроддзя росту. Тыгель патрабуе матэрыялаў з высокай тэмпературай і ўстойлівасцю да кіслароду, і не можа забруджваць крышталь і іншыя характарыстыкі. Улічваючы прадукцыйнасць і кошт, толькі каштоўны метал ірыдый падыходзіць для расплаву аксіду галію. Ірыдый, аднак, дарагі, каштуе ў тры разы даражэй за золата. Шасціцалевая прылада патрабуе некалькіх кілаграмаў ірыдыю, што эквівалентна вялікаму кавалку золата, а адзін толькі тыгель каштуе больш за шэсць мільёнаў долараў, што ўскладняе павелічэнне колькасці прылад для масавай вытворчасці. 

Трэцяе пакаленне супраць чацвёртага пакалення

Трэцяе пакаленне паўправаднікоў адносіцца да шыроказонных паўправаднікоў, у тым ліку карбіду крэмнію (SIC) і нітрыду галію (GaN), двух матэрыялаў з прапускной здольнасцю больш за 3 эВ, якія толькі пачынаюць выкарыстоўвацца ў вялікіх маштабах. 

Чацвёртае пакаленне паўправаднікоў адносіцца да звышшыроказонных паўправаднікоў, уключаючы аксід галію (Ga2O3), алмаз і нітрыд алюмінія (AlN). Аксід галію з'яўляецца адзіным з гэтых матэрыялаў, які зрабіў вялікі прарыў (6 цаляў) і, як чакаецца, будзе выкарыстоўвацца ў вялікіх маштабах у бліжэйшыя 3-5 гадоў, з Японіяй лідзіруе. 

У параўнанні з прыладамі на аснове крэмнія, страты магутнасці карбіду крэмнію складаюць 1/7 страты магутнасці прылад на аснове крэмнія, што забяспечвае добры энергазберагальны эфект. Страты магутнасці аксіду галію складаюць 1/7 ад карбіду крэмнію, гэта значыць 1/49 ад прылад на аснове крэмнія, гэта значыць 2%. 

Карбід крэмнія часта выкарыстоўваецца ў якасці сілавога прылады, у новых энергетычных транспартных сродках, каб гуляць эфект энергазберажэння, калі рассейванне цяпла невялікае, вы можаце аптымізаваць сістэму рассейвання цяпла, і яна стане лёгкай і таннай. У цяперашні час медзь, золата і срэбра, а таксама іншыя каштоўныя металы звычайна выкарыстоўваюцца на рынку, у той час як лепшыя матэрыялы, такія як графен, нітрыд алюмінія, алмаз і г.д., маюць лепшы эфект рассейвання цяпла і маюць патэнцыял для аптымізацыі рассейвання цяпла. сістэма. 

Аксід галію - адзіны паўправадніковы матэрыял з шырокай забароненай зонай, які можна вырасціць метадам расплаву. Кошт яго 6-цалевай падкладкі можа знізіцца прыкладна да 200 долараў праз тры-пяць гадоў і да 50 долараў пры масавай вытворчасці. Падкладка з карбіду крэмнія такога ж памеру каштуе каля 700 долараў. 

Аксід галію хутка ўтварае пласцінныя падкладкі і можа выкарыстоўвацца метадам расплаву. Гэта як уторкнуць палачку ў мёд і выцягнуць яе. Ён утварыў адзіны крышталь, які расце на два сантыметры за гадзіну, што амаль у 100 разоў хутчэй, чым іншыя матэрыялы. Крышталі, якія ўтвараюцца ў выніку раставання, як снег, які растае ў ваду, а потым лёд, вельмі добрай якасці, у той час як адклад малекул газу ў крышталі адбываецца павольна і яго цяжка палепшыць. 

Пастаўшчык парашка аксіду галію Ga2O3

RBOSCHCO з'яўляецца надзейным сусветным пастаўшчыком і вытворцам хімічных матэрыялаў з больш чым 12-гадовым вопытам у прадастаўленні звышвысокай якасці хімікатаў і нанаматэрыялаў. Кампанія экспартуе ў многія краіны, уключаючы ЗША, Канаду, Еўропу, ААЭ, Паўднёвую Афрыку, Танзанію, Кенію, Егіпет, Нігерыю, Камерун, Уганду, Турцыю, Мексіку, Азербайджан, Бельгію, Кіпр, Чэхію, Бразілію, Чылі, Дубай, Японія, Карэя, В'етнам, Тайланд, Малайзія, Інданезія, Аўстралія, Германія, Францыя, Італія, Партугалія і інш.

Як вядучы вытворца нанатэхналагічных распрацовак, RBOSCHCO дамінуе на рынку. Наша прафесійная рабочая каманда прапануе ідэальныя рашэнні, якія дапамагаюць павысіць эфектыўнасць розных галін, ствараць каштоўнасць і лёгка спраўляцца з рознымі праблемамі.

Калі вы шукаеце парашок аксіду галію (III) Ga2O3, калі ласка, дашліце ліст на адрас электроннай пошты ( [email protected] ) .

(Аксід галію як чацвёртае пакаленне паўправадніковага матэрыялу)