Platiau Alwminiwm Nitrid vs Silicon Carbide: Priodweddau, Cymwysiadau a Gwahaniaethau Allweddol

Cyflwyniad Cyffredinol Plât Alwmina a Phlât Silicon Carbid

Plât ceramig swyddogaethol wedi'i wneud o serameg Alwminiwm Nitrid (AlN) yw Plât Alwminiwm Nitrid. Mae alwminiwm nitrid yn gyfansoddyn bond cofalent gyda strwythur crisial hecsagonol ac mae'n ddeunydd ceramig uwch gyda pherfformiad cynhwysfawr rhagorol. Gyda dwysedd damcaniaethol o 3.26 g/cm³, mae'n cyfuno dargludedd thermol uchel metel ag inswleiddio a gwrthiant tymheredd uchel serameg, gan ei wneud yn ddeunydd delfrydol ar gyfer pecynnu electronig.

Mae platiau silicon carbid wedi'u gwneud o serameg silicon carbid (SiC). Mae silicon carbid yn bodoli mewn amrywiol fathau o grisialau (e.e., α-SiC, β-SiC) ac mae'n cael ei sinteru i ffurfio corff ceramig dwys. Mae ei ddwysedd tua 3.1-3.2 g/cm³, gan ei osod yn y categori o ddeunyddiau ceramig tymheredd uwch-uchel, a nodweddir gan galedwch eithriadol o uchel, ymwrthedd i wisgo, a sefydlogrwydd cemegol, gan arwain at berfformiad rhagorol mewn amgylcheddau eithafol.

Gwahaniaeth rhwng nodweddion plât alwmina a phlât silicon carbide

Dargludedd thermol ac inswleiddio

Plât nitrid alwminiwm: dargludedd thermol mor uchel â 200-320 W/m・K, yn debyg i'r metel alwminiwm, deunyddiau ceramig yn y dargludedd thermol gorau o un o'r amrywiaethau; ar yr un pryd, mae ganddo inswleiddio trydanol rhagorol (cysonyn dielectrig o tua 9.1, gwrthedd cyfaint> 10¹⁴ Ω・cm) i fodloni gofynion deuol dyfeisiau pŵer uchel, sef afradu gwres ac inswleiddio.

Plât silicon carbid: dargludedd thermol o tua 100-200 W/m・K, er ei fod yn is nag alwminiwm nitrid, ond yn well na'r rhan fwyaf o serameg; mae ei briodweddau inswleiddio yn newid gyda math a phurdeb y grisial, gellir defnyddio rhan o'r silicon carbid wedi'i ddopio fel deunydd lled-ddargludyddion (megis swbstrad dyfais bŵer SiC), ond mae serameg heb ei ddopio yn dal i fod yn inswleiddwyr (gwrthedd cyfaint > 10¹² Ω・cm).

Gwrthiant Tymheredd Uchel a Phriodweddau Mecanyddol

Plât nitrid alwminiwm: pwynt toddi o tua 2200 ° C, ymwrthedd ocsideiddio da ar dymheredd uchel, ond mae cryfder mecanyddol y tymheredd yn cynyddu gyda'r gostyngiad cyflym; caledwch (HV) o tua 1200-1500, ymwrthedd sioc thermol yn ganolig (cyfernod ehangu thermol o 4.5 × 10-⁶ / ° C, a sglodion silicon yn cyd-fynd yn dda).

Plât silicon carbid: pwynt toddi mor uchel â 2700 °C, ymwrthedd i gyrydiad (asid, alcali, erydiad toddi metel); caledwch (HV) o 2500-3000, yn ail yn unig i ddiamwnt; cryfder cywasgol o fwy na 4000 MPa, a chyfradd cadw cryfder uchel ar dymheredd uchel (1400 °C pan fydd cryfder tymheredd ystafell yn 80%); cyfernod ehangu thermol isel (2.5-4.0 × 10-⁶ / °C, yn cyd-fynd yn dda â sglodion silicon. Cyfernod ehangu thermol isel (2.5-4.0 × 10.0⁶/°C), ymwrthedd sioc thermol rhagorol.

Sefydlogrwydd cemegol a phrosesadwyedd

Plât nitrid alwminiwm: yn dangos ymwrthedd cryf i erydiad metelau tawdd (fel alwminiwm a chopr) ond mae'n dueddol o hydrolysis araf gyda dŵr, gan gynhyrchu Al(OH)₃. Felly, mae angen triniaeth gwrth-leithder. Mae prosesu yn gofyn am ddefnyddio offer diemwnt, sydd o anhawster canolig.

Plât silicon carbid: yn gallu gwrthsefyll asidau cryf, alcalïau, ac ocsideiddio tymheredd uchel, gyda gwrthiant cryfach i erydiad toddi metel. Mae ganddo galedwch eithriadol o uchel, sy'n gofyn am sgraffinyddion diemwnt manwl gywir ac yn achosi costau uchel.

Gwahaniaeth cymhwysiad rhwng plât alwmina a phlât silicon carbide

Electroneg a maes ynni

Plât nitrid alwminiwm: a ddefnyddir yn bennaf ar gyfer dyfeisiau electronig pŵer uchel, swbstrad afradu gwres (megis modiwl mwyhadur gorsaf sylfaen 5G, swbstrad inswleiddio IGBT), braced afradu gwres sglodion LED, cragen pecynnu lled-ddargludyddion, ac ati, gan ddefnyddio ei nodweddion deuol-optimaidd "dargludedd thermol - inswleiddio" i ddatrys problemau rheoli thermol sglodion.

Plât silicon carbid: fel deunydd crai ar gyfer swbstrad lled-ddargludyddion SiC (wafers 4H-SiC), gan gefnogi datblygiad lled-ddargludyddion band eang trydydd cenhedlaeth; gellir ei ddefnyddio hefyd ar gyfer siasi afradu gwres modiwl cyflenwad pŵer tymheredd uchel, ond mae angen ei baru â'r haen inswleiddio.

Strwythurau tymheredd uchel a meysydd diwydiannol

Defnyddir plât nitrid alwminiwm ym maes awyrofod ar gyfer rhannau inswleiddio tymheredd uchel yn adran yr injan (megis cromfachau synhwyrydd), ond mae ei gymhwysiad wedi'i gyfyngu gan ei gryfder tymheredd uchel.

Plât silicon carbid: a ddefnyddir yn helaeth yn y diwydiant metelegol (e.e., leinin ffwrnais chwyth, tanc canllaw hylif alwminiwm), diwydiant cemegol (leinin adweithydd sy'n gwrthsefyll cyrydiad), maes ynni (cydrannau siambr hylosgi tyrbin nwy); yn ogystal, fel deunyddiau sy'n gwrthsefyll traul a ddefnyddir mewn berynnau ceramig, cylchoedd selio, ffroenellau tywod-chwythu, ac ati, i ddisodli'r deunydd metel er mwyn ymestyn yr oes.

Meysydd Arbennig

Platiau Alwminiwm Nitrid: Fe'u defnyddir yn y maes optegol fel deunyddiau ffenestri is-goch (trosglwyddiad 8-12 μm) i fanteisio ar ei amsugno lleithder isel a'i drosglwyddiad golau uchel.

Platiau Silicon Carbid: Ymgeiswyr ar gyfer deunyddiau casin tanwydd niwclear tymheredd uchel yn y diwydiant niwclear, gan ddefnyddio ei wrthwynebiad i ymbelydredd a thymheredd uchel; a ddefnyddir yn y diwydiant ffotofoltäig ar gyfer canllawiau torri wafferi silicon, gan fanteisio ar ei wrthwynebiad crafiad.

Cyflenwr

Mae RBOSCHCO yn gyflenwr a gwneuthurwr deunyddiau cemegol byd-eang dibynadwy gyda dros 12 mlynedd o brofiad o ddarparu cemegau a Nanoddeunyddiau o ansawdd uchel iawn. Mae'r cwmni'n allforio i lawer o wledydd, megis UDA, Canada, Ewrop, Emiradau Arabaidd Unedig, De Affrica, Tanzania, Kenya, yr Aifft, Nigeria, Camerŵn, Uganda, Twrci, Mecsico, Azerbaijan, Gwlad Belg, Cyprus, Gweriniaeth Tsiec, Brasil, Chile, yr Ariannin, Dubai, Japan, Corea, Fietnam, Gwlad Thai, Malaysia, Indonesia, Awstralia, yr Almaen, Ffrainc, yr Eidal, Portiwgal ac ati. Fel gwneuthurwr datblygu nanotechnoleg blaenllaw, mae RBOSCHCO yn dominyddu'r farchnad. Mae ein tîm gwaith proffesiynol yn darparu atebion perffaith i helpu i wella effeithlonrwydd amrywiol ddiwydiannau, creu gwerth, ac ymdopi'n hawdd ag amrywiol heriau. Os ydych chi'n chwilio am blatiau alwminiwm nitrid a silicon carbide, anfonwch e-bost at: [email protected]

Tagiau: platiau alwminiwm nitrid, platiau silicon carbid