Konparezon pèfòmans ant seramik carbure Silisyòm ak seramik nitrid Silisyòm

Nan analiz konparatif sa a sou seramik carbure Silisyòm ak nitrid Silisyòm, nou pral eksplike sistematikman diferans prensipal ki genyen ant de yo apati twa dimansyon: pwopriyete fizik, pwopriyete chimik, ak domèn aplikasyon.

I. Diferans nan pwopriyete fizik yo

pwopriyete mekanik

Karbid Silisyòm: pi gwo dite (Mohs 9.2), men pi ba rezistans frakti (3-4 MPa·m¹/²)

Nitrid Silisyòm: yon ti kras pi ba dite (Mohs 8.5), ekselan rezistans frakti (6-7 MPa·m¹/²)

Pwopriyete tèmik

Paramèt Silisyòm kabid Silisyòm nitrid Konduktivite tèmik 120-200 W/m·K 15-30 W/m·K Koyefisyan ekspansyon tèmik 4.5×10⁻⁶/℃ 3.2×10⁻⁶/℃

II. Konparezon estabilite chimik y

Rezistans oksidasyon: Silisyòm carbure ap fòme yon kouch oksid pi wo pase 1400 ℃, epi Silisyòm nitrid ap kòmanse okside nan 1300 ℃.

Rezistans korozyon : Nitrid Silisyòm pi rezistan a solisyon asid/alkali, epi metal alkali fonn yo fasilman korode carbure Silisyòm.

Boul seramik

III. Jaden aplikasyon tipik yo

Senaryo prensipal yo nan carbure Silisyòm

Pati estriktirèl ki reziste tanperati ki wo: lam turbin gaz (operasyon kontinyèl nan 1600 ℃)

Aparèy semi-kondiktè: Substra modil pouvwa (konduktivite tèmik 6 fwa pi wo pase nitrid Silisyòm)

Endistri nikleyè: materyèl revètman konbistib (ti seksyon absòpsyon netwon)

Zòn avantaj nitrid Silisyòm

Kousinen presizyon: Kousinen tout seramik yo gen yon lavi plis pase 100,000 èdtan.

Byomedikal: Jwenti atifisyèl (koyefisyan friksyon an se sèlman 0.002)

Anbalaj elektwonik: Substra izolasyon sikwi wo frekans

IV. Diferans nan pri pwosesis la

Sinterizasyon carbure Silisyòm mande yon tanperati ki wo plis pase 2100 ℃, alòske nitrid Silisyòm ka dansifye nan 1700-1900 ℃, men pou nitrid Silisyòm lan, li bezwen yon atmosfè pwoteksyon nitwojèn. Pri aktyèl matyè premyè carbure Silisyòm lan se apeprè 60% pi chè pase pri nitrid Silisyòm lan, men pri pwosesis la apeprè 40% pi wo.

Founisè

RBOSCHCO se yon founisè ak manifakti materyèl chimik mondyal ou ka fè konfyans, li gen plis pase 12 ane eksperyans nan bay pwodui chimik ak nanomateryèl kalite siperyè. Konpayi an ekspòte nan anpil peyi, tankou Etazini, Kanada, Ewòp, Emira Arab Ini, Lafrik di sid, Tanzani, Kenya, Ejip, Nijerya, Kamewoun, Ouganda, Tiki, Meksik, Azerbaydjan, Bèljik, Chip, Repiblik Tchèk, Brezil, Chili, Ajantin, Doubay, Japon, Kore di, Vyetnam, Thailand, Malezi, Endonezi, Ostrali, Almay, Lafrans, Itali, Pòtigal elatriye. Kòm yon manifakti dirijan nan devlopman nanoteknoloji, RBOSCHCO domine mache a. Ekip travay pwofesyonèl nou an bay solisyon pafè pou ede amelyore efikasite divès endistri yo, kreye valè, epi fasilman fè fas ak divès defi. Si w ap chèche materyèl seramik SiC/Si3N4 , tanpri voye yon imèl bay: [email protected]