Kiváló minőségű precíziós alumínium-nitrid ultravékony hordozó

Az alumínium-nitrid szubsztrátumok áttekintése

Az alumínium-nitrid szubsztrát kiváló elektronikai anyag. Magas hővezető képességgel rendelkezik, amely lehetővé teszi a gyors hőelvezetést, így kiválóan illeszkedik a nagy teljesítményű elektronikai eszközökhöz. Ezenkívül finom elektromos szigetelő tulajdonsága segít megelőzni az áramköri rövidzárlatokat. Ezenkívül az alumínium-nitrid szubsztrát előnye az alacsony dielektromos állandó és az alacsony tágulási együttható, amelyek jól illeszkednek a félvezető anyagokhoz. Az 5G kommunikációban, LED-ekben, teljesítménymodulokban és más területeken általánosan használt elektronikai berendezések miniatürizálását segítő nagy teljesítményű fejlesztés a modern elektronikai ipar fontos alapanyaga.

Az alumínium-nitrid szubsztrátumok jellemzői

Az alumínium-nitrid hordozók magas hővezető képességgel rendelkeznek. Hatékonyan vonják el a hőt az elektronikus alkatrészektől. Ez segít abban, hogy a berendezés állandó hőmérsékleten maradjon munka közben. Ez viszont meghosszabbítja az alkatrészek élettartamát és növeli a teljesítményt. Ugyanakkor az alumínium-nitrid hordozók jó elektromos szigetelési tulajdonságokkal is rendelkeznek, amelyek hatékonyan megakadályozzák az áramszivárgást és az áramköri rövidzárlatot az elektronikus berendezések biztonságos működésének biztosítása érdekében.

Ezenkívül az alumínium-nitrid hordozók alacsony dielektromos állandóval rendelkeznek, ami segít csökkenteni a jelátvitel során fellépő veszteségeket és javítani a jelátvitel minőségét. Hőtágulási együtthatója hasonló a félvezető anyagokéhoz, mint például a szilícium, így jobban összeilleszthető olyan alkatrészekkel, mint a chipek, csökkentve az inkonzisztens hőtágulás okozta feszültségproblémákat és javítva a teljes szerkezet stabilitását.

Ezek a jellemzők az alumínium-nitrid szubsztrátot rendkívül kedveltté teszik az elektronikus csomagolás területén, széles körben használják az 5G-kommunikációban, a LED-világításban, a teljesítményelektronikában és sok más csúcstechnológiás területen a modern elektronikai technológia fejlesztése érdekében, hogy fontos anyagi támogatást nyújtsanak.

Alumínium-nitrid szubsztrátumok specifikációs táblázata

Vizsgált paraméter	Leírás
Anyag	Alumínium-nitrid (AlN)
Tisztaság	≥ 99.5%
Hővezető	170-220 W/m·K (szobahőmérsékleten)
Dielektromos állandó	8.5-9.5 (1 MHz-en)
Dielektromos szilárdság	>15 kV/mm
Térfogat-ellenállás	>10^14 Ω·cm (25°C-on)
Hőtágulási együttható	4.5-5.0 ppm/°C
Felületi érdesség	<0.5 µm (RMS)
Vastagság	0.25-3.0 mm (testreszabható)
Méret	Akár 150 mm × 150 mm (nagyobb méret kérésre)
Síklapúság	±0.1 mm (tipikus)
Párhuzamosság	±0.05 mm (tipikus)
Élminőség	Letört vagy lekerekített élek a kipattogzás elkerülése érdekében
Felületkezelés	Polírozott, lapolt vagy maratott felületek kaphatók
Működési hőmérséklet tartomány	-50°C és +300°C között (folyamatos)
Alkalmazási területek	Nagy teljesítményű LED világítás, RF és mikrohullámú készülékek, teljesítményelektronika, hőkezelő rendszerek

játszani

Alumínium-nitrid szubsztrátumok alkalmazása

Az alumínium-nitrid szubsztrát kiváló teljesítményével számos high-tech területen fontos szerepet játszik. Az elektronikai csomagolás területén az alumínium-nitrid szubsztrátokat széles körben használják a nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű integrált áramkörök csomagolásában, amelyek hatékonyan megoldják a chipek hőelvezetési problémáját, és biztosítják az áramkörök stabilitását nagy terhelésű működés során. Az 5G kommunikációban az alumínium-nitrid szubsztrátumok kulcsfontosságú alkatrészekhez, például bázisállomási teljesítményerősítőkhöz használhatók, ahol alacsony dielektromos állandójuk és magas hővezető képességük javítja a jelátvitel hatékonyságát és csökkenti az energiafogyasztást.

A LED-világítási iparban az alumínium-nitrid szubsztrát hőelvezető hordozóként jelentősen javíthatja a LED-lámpák és lámpák hőelvezetési teljesítményét, meghosszabbítva azok élettartamát, miközben megőrzi a jó optikai teljesítményt. Ezenkívül alumínium-nitrid szubsztrátokat is használnak az autóelektronika területén, például az elektromos járművek teljesítménymodul-csomagolásaiban, hogy megbízható hőelvezetést és szigetelést biztosítsanak a nagyfeszültségű, nagyáramú elektronikai alkatrészek számára.

A repülés területén az alumínium-nitrid szubsztrát könnyű, nagy szilárdságú és magas hőmérsékleti jellemzői ideális elektronikus anyaggá teszik, amely használható műholdakhoz, repülőgépek elektronikus vezérlőrendszereihez stb. Az egyedülálló tulajdonságokkal rendelkező alumínium-nitrid hordozó ma már a modern elektronika kulcsanyaga. Számos iparág növekedését és innovációját támogatja.

Cégprofil- Kintai

Az RBOSCHCO egy megbízható globális vegyi anyag beszállító és gyártó, több mint 12 éves tapasztalattal a kiváló minőségű vegyi anyagok és nanorészecskék szállításában. A vállalat számos országba exportál, például az USA-ba, Kanadába, Európába, az Egyesült Arab Emírségekbe, Dél-Afrikába, Tanzániába, Kenyába, Egyiptomba, Nigériába, Kamerunba, Ugandába, Törökországba, Mexikóba, Azerbajdzsánba, Belgiumba, Ciprusra, Csehországba, Brazíliába, Chilébe, Argentínába, Dubaiba, Japánba, Koreába, Vietnamba, Thaiföldre, Malajziába, Indonéziába, Ausztráliába, Németországba, Franciaországba, Olaszországba, Portugáliába stb. Vezető nanotechnológiai fejlesztő gyártóként az RBOSCHCO uralja a piacot. Professzionális munkacsapatunk tökéletes megoldásokat kínál a különböző iparágak hatékonyságának javítására, az értékteremtésre és a különféle kihívások könnyű kezelésére. Ha érdeklődik, kérjük, küldjön e-mailt a [email protected] címre.

Fizetési határidő

T/T, Western Union, Paypal, hitelkártya stb.

Szállítási határidő

Légi, tengeri, expressz, az ügyfelek kérésének megfelelően.

5 GYIK az alumínium-nitrid szubsztrátumokkal kapcsolatban

Q1: Mik az alumínium-nitrid hordozók gyártási folyamatai?

A gyakori gyártási eljárások közé tartozik az öntés, a közvetlen rézkötés (DBC), az aktív fémforrasztás (AMB), a vastagfilmes nyomtatás (TPT), az elektrodepozíciós réz (EDC), a kémiai rézbevonat (CDC), a közvetlen rézbevonat (DPC), stb. A DBC eljárással magas hőmérsékletű szinterezés valósítható meg a rézfólia és a kerámia között; az AMB eljárás aktív fémet ad a rézfólia és a kerámia közé, hogy vékony filmet képezzen. Az öntési módszer nagyüzemi gyártásra alkalmas, vékony filmekké alakítható; a DBC-eljárás megvalósíthatja a réz és a kerámia magas hőmérsékletű szinterezését, az AMB-eljárás pedig aktív fémforrasztást ad a rézfólia és a kerámiák közé.

2. kérdés: Az alumínium-nitrid szubsztrátumokból többrétegű lapok készíthetők?

Az alumínium-nitrid szubsztrátumokból többrétegű lapok készíthetők, de a technikai nehézség viszonylag nagy, és speciális eljárásokra van szükség, mint például az LTCC (alacsony hőmérsékletű együttszinterelési technológia) vagy a HTCC (magas hőmérsékletű együttszinterelési technológia).

Q3: Melyek az alumínium-nitrid szubsztrátok fő alkalmazásai?

Az alumínium-nitrid szubsztrátumokat széles körben használják az 5G kommunikációban, a LED-es világításban, a teljesítményelektronikában, az autóiparban, az elektronikában, a repülésben, a katonai védelemben és más területeken. Például 5G bázisállomásokon használják teljesítményerősítőkhöz és más kulcsfontosságú alkatrészekhez, hőleadó szubsztrátumként LED-világításban, valamint teljesítménymodulok csomagolásához elektromos járművekben.

4. kérdés: Magas az alumínium-nitrid hordozó költsége?

Más kerámia anyagokkal összehasonlítva az alumínium-nitrid gyártási költsége azonos szinten van, és általában olcsóbb, mint a szilícium-nitrid. Bár az árat számos tényező befolyásolja, mint például a gyártási folyamat, az anyagméret, a csomagolás és a szennyeződéstartalom, a kiváló teljesítménye miatt, amely a berendezések megbízhatóbb működését biztosítja, számos nagy teljesítményű alkalmazási forgatókönyv esetén költséghatékony.

Q5: Melyek az alumínium-nitrid hordozók méretei?

Általában a maximális méret körülbelül 110 mm x 140 mm. A méret viszonylag kicsi, és nehéz hosszú ideig megcsinálni, mint az FR4 kártyát; ennek az az oka, hogy az alumínium-nitrid szubsztrátum törékenyebb, könnyen törhető, mérete túl nagy, és nem felel meg a hordozó jellemzőinek.