Silicon Carbide Eegeschaften a Gebrauch

(Siliciumcarbid Eegeschaften a Gebrauch)

Silicon Carbide Eegeschaften a Gebrauch

Virun der Erfindung vum Borkarbid am Joer 1929 war Siliziumkarbid dat haartste synthetescht Material bekannt. Et huet eng Morse-Härheet vun 9, no bei Diamanten.

Nieft der Härtheet hunn Siliciumkarbid-Kristalle och Fraktureigenschaften, wat se nëtzlech mécht fir Schleifräder wéi och a Sandpapier a Stoffprodukter.

Seng héich thermesch Konduktivitéit, gekoppelt mat senger héijer Temperaturkraaft, gerénger thermescher Expansioun a chemescher Resistenz, mécht Siliziumkarbid wäertvoll bei der Fabrikatioun vun Héichtemperatur Zillen an aner refractaire Materialien.

Et ass och klasséiert als Hallefleit mat elektrescher Konduktivitéit tëscht Metall an Isoléiermaterialien. D'Kombinatioun vun dëser Eegeschafte a sengen thermesche Properties mécht SiC e verspriechende Ersatz fir traditionell Hallefleit wéi Silizium an Héichtemperaturapplikatiounen.

D'Entdeckung vu Siliziumkarbid

Silicon Carbide gouf vum amerikaneschen Erfinder Edward G. Acheson entwéckelt war an 1891. Beim Versuch Strass ze maachen, Acheson gehëtzt eng Mëschung aus Clay a Kokspulver an engem Eisen Schossel, mat Eisen Schësselcher an gewéinlech Kuelestoff Arc Luuchten als Elektroden. Hien huet hellgréng Kristalle fonnt, déi u Kuelestoffelektroden befestegt hunn a geduecht hien hätt e puer nei Verbindunge vu Kuelestoff an Aluminiumoxid aus Lehm virbereet. Hien nennt déi nei Verbindung Siliziumkarbid, well déi natierlech Mineralform vun Aluminiumoxid gëtt Korund genannt. De Kristall no bei der Hardness vun engem Diamant ze fannen an direkt d'Wichtegkeet vu senger Entdeckung ze realiséieren, huet den Acheson en US Patent ugewannt. Seng fréi Produkter goufen ursprénglech benotzt fir Edelsteng ze poléieren a kaschten sou vill wéi natierlecht Diamantpulver. Dës nei Verbindung kann aus bëllege Rohmaterial kritt ginn an huet eng héich Ausbezuelung, sou datt et geschwënn e wichtegt industrielle Schleifmëttel gëtt.

Ëm déi Zäit Acheson entdeckt Henry, franséische Moissan produzéiert eng ähnlech Verbindung aus enger Mëschung aus Quarz a Kuelestoff. Awer an enger 1903 Verëffentlechung huet de Mosang déi initial Entdeckung dem Acheson zougeschriwwen. E puer natierlech Siliziumcarbid gouf am Canyon Dark Meteorit an Arizona fonnt. Säin mineralogeschen Numm ass Mozamit.

Modern Fabrikatioun

Déi modern Siliziumkarbid-Fabrikatiounsmethoden, déi an der abrasiv, metallurgescher a refractärer Industrie benotzt ginn, sinn am Fong d'selwecht wéi déi vun Acheson entwéckelt. D'Mëschung aus purem Silikasand a Kuelestoff gëtt ronderëm de Kuelestoffleiter am Zilresistenzofen a Form vu feinen zerquetscht Kock geformt. Den elektresche Stroum geet duerch den Dirigent a verursaacht eng chemesch Reaktioun. De Kuelestoff am Kock verbënnt sech mam Silizium am Sand fir Siliziumkarbid a Kuelemonoxidgas ze bilden. En Uewen Operatioun kann e puer Deeg daueren, während deenen d'Kärtemperatur vun 2200 ° bis 2700 °C (4000 ° bis 4900 °F) bis ongeféier 1400 °C (2500 °F) um baussenzege Rand läit. Energieverbrauch ass méi wéi 100000 XNUMX Kilowattstonnen pro Operatioun. Um Enn vun der Operatioun besteet d'Produkt aus locker gewéckelt gréng bis schwaarz SiC Kristallkären ëmgi vun e puer oder all vun den onkonvertéierte Rohmaterial. Bulk Aggregater ginn zerquetscht, gemoolt a gescannt a verschidde Gréissten gëeegent fir Endverbrauch.

Fir speziell Uwendungen gëtt Siliziumkarbid duerch eng Rei fortgeschratt Prozesser produzéiert. Reaktiounsgebonnen Siliziumkarbid mëscht Siliziumkarbidpulver mat Kuelestoffpulver a Plastifizéierer, formt d'Mëschung an déi gewënscht Form, verbrennt de Plastifizéierer, a sprëtzt dann gasform oder geschmollte Silizium an de gebrannten Objet, deen mat Kuelestoff reagéiert fir zousätzlech Siliziumkarbid ze bilden. Déi verschleißbeständeg Schicht vu Siliziumkarbid kann duerch chemesch Dampdepositioun geformt ginn, wat e Prozess ass, an deem liichtflüchtege Verbindunge mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur an der Präsenz vu Waasserstoff reagéieren. Fir fortgeschratt elektronesch Uwendungen kënnen grouss SiC Eenkristallen aus Damp ugebaut ginn; d'Ingots kënnen dann a Wafere geschnidden ginn, déi ähnlech wéi Silizium sinn, déi kënne benotzt ginn fir Feststoffgeräter ze maachen. Fir verstäerkt Metaller oder aner Keramik kënnen SiC Faseren op verschidde Weeër geformt ginn, dorënner chemesch Dampdepositioun a Brennen vu Siliziumhaltege Polymerfaser.

Silicon Carbide Präis

De Präis gëtt vu ville Faktoren beaflosst, dorënner d'Offer an d'Nofro um Maart, Industrietrends, wirtschaftlech Aktivitéit, Maartsentiment, an onerwaart Eventer.

Wann Dir no dem aktuellste Präis fir SiC sicht, kënnt Dir eis Är Ufro fir eng Offer schécken. ( [email protected] )

Silicon Carbide Fournisseur

RBOSCHCO ass e vertrauenswürdege globalen chemesche Material Fournisseur & Hiersteller mat iwwer 12-Joer Erfarung fir super qualitativ héichwäerteg Chemikalien an Nanomaterialien ze liwweren. D'Firma exportéiert a ville Länner dorënner d'USA, Kanada, Europa, UAE, Südafrika, Tanzania, Kenia, Ägypten, Nigeria, Kamerun, Uganda, Tierkei, Mexiko, Aserbaidschan, Belsch, Zypern, Tschechesch Republik, Brasilien, Chile, Dubai, Japan, Korea, Vietnam, Thailand, Malaysia, Indonesien, Australien, Däitschland, Frankräich, Italien, Portugal, etc.

Als féierende Nanotechnologie Entwécklung Hiersteller dominéiert RBOSCHCO de Maart. Eis professionell Aarbechtsteam bitt perfekt Léisunge fir d'Effizienz vu verschiddenen Industrien ze verbesseren, Wäert ze kreéieren an einfach mat verschiddenen Erausfuerderungen ze këmmeren.

Wann Dir no SiC-Pulver sicht, schéckt w.e.g. eng E-Mail. ( [email protected] )

(Siliciumcarbid Eegeschaften a Gebrauch)