Struktur Tungsten Boride dan Boron Boron Nitride (WBN).

(Struktur Tungsten Boride dan Boron Boron Nitride (WBN))

Tungsten boride ialah sebatian tungsten dan boron yang mempunyai banyak sifat, termasuk kekerasan tinggi (20 GPa), kelenturan kimia dan kekonduksian elektronik. Ia juga digunakan sebagai salutan untuk bahagian tahan haus dan dalam industri semikonduktor.

Aplikasi biasa tungsten boride termasuk pembentukan filem nipis boron nitrida ternary dengan kestabilan terma yang sangat baik, kerintangan boleh melaras dan lekatan yang baik kepada oksida. Filem WBN disediakan melalui proses pemendapan lapisan atom terma (ALD) yang mengecutkan bahan tindak balas yang mengandungi boron, mengandungi nitrogen dan tungsten ke dalam ruang tindak balas untuk mendepositkan filem nipis WBN.

Borida tungsten tertinggi ialah struktur cI2-W (cBW) dengan atom boron dalam ikatan diadik (DB). Ia mempunyai modulus ricih yang rendah, yang dikaitkan dengan sifat diadik sistem WB.

Struktur padu (cI2-W) berpusat badan dengan atom boron dalam ikatan a-rombohedral (hR12-B) mempunyai modulus ricih yang lebih tinggi sedikit, menunjukkan bahawa atom boron dalam struktur a-rombohedral kurang terikat pada atom tungsten dalam cI2-W. Dengan menggunakan gabungan teori dan eksperimen, kami telah menyiasat entalpi pembentukan relatif (DE) untuk struktur dengan kandungan atom boron yang berbeza.

Entalpi pembentukan ditentukan oleh kedudukan relatif atom boron dalam kekisi kristal. Ia paling hampir sejajar dengan kedudukan atom tungsten dalam ikatan dyadic, yang sama untuk hP16-WB3 dan cI2-W. Walau bagaimanapun, adalah tidak mungkin untuk mencari kedudukan tepat atom boron dalam hubungan dyadic dengan atom tungsten dalam cI2-W dan hR12-B kerana perbezaan jisim yang besar antara atom W dan B.

(Struktur Tungsten Boride dan Boron Boron Nitride (WBN))