နာနို-ဆဋ္ဌဂံပုံ ဘိုရွန်နိုက်ထရိုက် h-BN – ဘက်ထရီများအတွက် ဘက်စုံသုံး အပူစီမံခန့်ခွဲမှုပစ္စည်း

နာနို-ဆဋ္ဌဂံ ဘိုရွန် နိုက်ထရိုက် အကျဉ်းချုပ်

နာနို-ဆဋ္ဌဂံပုံ ဘိုရွန်နိုက်ထရိုက် (h-BN) သည် ဂရပ်ဖိုက်နှင့်ဆင်တူသော နှစ်ဘက်မြင်အလွှာဖွဲ့စည်းပုံပါရှိသော ဘက်စုံသုံးအဆင့်မြင့်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး ထူးကဲသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် လျှပ်စစ်လျှပ်ကာဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသည်။ ဤထူးခြားသောပေါင်းစပ်မှုသည် ဘက်ထရီစနစ်များတွင် အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းအတွက် စံပြရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်စေသည်။ မြင့်မားသော အပူတည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မလှုပ်မယှက်မှုနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော ချောဆီပါဝင်သောကြောင့် နာနို-h-BN သည် အပူမျက်နှာပြင်ပစ္စည်းများ၊ ခွဲထုတ်အလွှာများ၊ အီလက်ထရုတ်ဖော်မြူလာများနှင့် အီလက်ထရိုလိုက်များအပါအဝင် ဘက်ထရီအစိတ်အပိုင်းများစွာတွင် စွယ်စုံသုံးဖြည့်စွက်ပစ္စည်းအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပေးပြီး နောက်မျိုးဆက်စွမ်းအင်သိုလှောင်ကိရိယာများ၏ ဘေးကင်းမှု၊ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် သံသရာသက်တမ်းကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

လစ်သီယမ်-အိုင်းယွန်းနှင့် ပေါ်ထွက်လာသော solid-state ဘက်ထရီနည်းပညာများတွင် nano-h-BN သည် အပူစုဆောင်းမှု၊ အပြန်အလှန်မတည်ငြိမ်မှုနှင့် အရှိန်မြှင့်လာသော ပစ္စည်းယိုယွင်းပျက်စီးမှုတို့နှင့် ဆက်စပ်နေသော အဓိကစိန်ခေါ်မှုများကို ဖြေရှင်းရာတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသော in-plane အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် ဘက်ထရီဖွဲ့စည်းပုံများအတွင်း အပူကို ထိရောက်စွာ ပျံ့နှံ့စေပြီး စွမ်းရည်မှိန်ခြင်း၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းယိုယွင်းပျက်စီးခြင်းနှင့် အပူလွန်ကဲခြင်းအန္တရာယ်များကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည့် ဒေသတွင်းအပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကို လျှော့ချပေးသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ၎င်း၏ လျှပ်စစ်လျှပ်ကာသဘောသဘာဝသည် မလိုလားအပ်သော အီလက်ထရွန်နစ်ယိုစိမ့်မှုကို ကာကွယ်ပေးနေစဉ် အိုင်းယွန်းသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးလမ်းကြောင်းများကို ထိန်းသိမ်းရန် ကူညီပေးပြီး separator ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနှင့် အကာအကွယ်အလွှာအသုံးချမှုများအတွက် အထူးတန်ဖိုးရှိစေသည်။ h-BN ၏ nanoscale morphology သည် မျက်နှာပြင်ဧရိယာကျယ်ကိုလည်း ပံ့ပိုးပေးပြီး အပြန်အလှန်ထိတွေ့မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး composite ဘက်ထရီပစ္စည်းများ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

အပူချိန်ထိန်းညှိမှုအပြင်၊ nano-h-BN သည် ၎င်း၏ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်မှုနှင့် ဖွဲ့စည်းပုံတည်ငြိမ်မှုတို့ကြောင့် အဆင့်မြင့်စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များ၏ ရေရှည်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ထိရောက်မှုကို အထောက်အကူပြုသည်။ ပြင်းထန်သော လျှပ်စစ်ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်အောက်တွင် ပြိုကွဲသွားနိုင်သော ရိုးရာဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများစွာနှင့်မတူဘဲ၊ h-BN သည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ အောက်ဆီဒေးရှင်းအခြေအနေများနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲအားသွင်း-အားထုတ်မှုစက်ဝန်းများအောက်တွင် ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းချည်နှောင်ပစ္စည်းများ၊ အစိုင်အခဲလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် လုပ်ဆောင်ချက်ဆိုင်ရာအဖုံးများထဲသို့ ထည့်သွင်းလိုက်သောအခါ၊ nano-h-BN သည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအစွမ်းသတ္တိကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး၊ မလိုလားအပ်သော ဘေးထွက်တုံ့ပြန်မှုများကို နှိမ်နင်းပေးကာ၊ ပိုမိုတပြေးညီအိုင်းယွန်းဖြန့်ဖြူးမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။ ဤအားသာချက်များသည် nano-h-BN ကို လျှပ်စစ်ယာဉ်များ၊ သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုနှင့် အခြားအဆင့်မြင့်စွမ်းအင်အသုံးချမှုများတွင် အသုံးပြုသည့် ပိုမိုဘေးကင်းပြီး မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ဘက်ထရီများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအတွက် ပိုမိုအရေးပါသောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။

နာနို-ဆဋ္ဌဂံ ဘိုရွန် နိုက်ထရိုက်၏ အင်္ဂါရပ်များ

၁။ အပူစီးကူးမှု မြင့်မားပြီး လျှပ်စစ်လျှပ်ကာ အားကောင်းခြင်း

Nano-h-BN သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းရည်နှင့် ထူးချွန်သော လျှပ်စစ်လျှပ်ကာဂုဏ်သတ္တိများကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။ ၎င်း၏ မျက်နှာပြင်အတွင်း အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် သန့်စင်မှု၊ အမှုန်အရွယ်အစားနှင့် ဦးတည်ချက်ပေါ် မူတည်၍ 200–600 W/m·K အထိ ရောက်ရှိနိုင်ပြီး ဘက်ထရီစနစ်များအတွင်း အပူလွန်ကဲမှုကို လျင်မြန်စွာ လွှဲပြောင်းပေးနိုင်ပြီး ဒေသတွင်း အပူလွန်ကဲမှုကို လျှော့ချပေးသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ၎င်း၏ လျှပ်စစ်ခုခံမှုသည် 10¹²–10¹⁴ Ω·cm အထက်တွင် ရှိနေသော ကြောင့် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းများ မဖန်တီးဘဲ သို့မဟုတ် အတွင်းပိုင်း ရှော့ပတ်လမ်းများ၏ အန္တရာယ်ကို တိုးမြှင့်ခြင်းမရှိဘဲ အပူကို ထိရောက်စွာ ပျံ့နှံ့စေသည်။ ဤထူးခြားသော ပေါင်းစပ်မှုသည် nano-h-BN ကို မြင့်မားသော စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆဘက်ထရီများတွင် အပူမျက်နှာပြင်ပစ္စည်းများ၊ ခွဲထုတ်အလွှာများနှင့် လျှပ်ကာပေါင်းစပ်အလွှာများအတွက် အလွန်သင့်လျော်စေသည်။

၂။ သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု

Nano-h-BN သည် အလွန်အမင်းလည်ပတ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် ထူးကဲသောတည်ငြိမ်မှုကိုပြသပြီး လေထုထဲတွင် 900°C အထက်အပူချိန်များနှင့် တည်ငြိမ်မှုမရှိသောပတ်ဝန်းကျင်အောက်တွင် 2800°C ခန့်အထိ ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာတည်တံ့မှုကိုထိန်းသိမ်းထားသည် ။ ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သောအောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်နှင့်ဓာတုတည်ငြိမ်မှုမရှိခြင်းတို့ကြောင့် ပြင်းထန်သောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစနစ်များနှင့်ထပ်ခါတလဲလဲအပူလည်ပတ်မှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ရိုးရာကာဗွန်အခြေခံဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက nano-h-BN သည် ဓာတုလှုပ်ရှားမှုနည်းပါးပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးပစ္စည်းများနှင့်မလိုလားအပ်သောဓာတ်ပြုမှုများကိုလျှော့ချပေးသည့်အပြင်ဘက်ထရီအစိတ်အပိုင်းများ၏ရေရှည်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုတိုးတက်စေသည်။

၃။ နှစ်ဘက်မြင် အလွှာဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ချောဆီအလွန်ကောင်းမွန်ခြင်း

ဂရပ်ဖိုက်နှင့်တူသော ဆဋ္ဌဂံအလွှာဖွဲ့စည်းပုံဖြင့် nano-h-BN တွင် အားနည်းသော van der Waals အားများဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားသော ခိုင်မာစွာ ပေါင်းစပ်ထားသော boron nitride အလွှာများ ပါဝင်သည်။ ဤထူးခြားသော morphology သည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 0.10–0.20 ၏ ပွတ်တိုက်မှုကိန်းနည်းပါးခြင်း ၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိခြင်းနှင့် အပြန်အလှန် လိုက်ဖက်ညီမှု မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ nanoscale အလွှာဖွဲ့စည်းပုံသည် ဘက်ထရီပစ္စည်းများအတွင်း တူညီသော အကာအကွယ်ကွန်ရက်များကို ဖွဲ့စည်းနိုင်ပြီး ဖိစီးမှုပြေလျော့စေခြင်း၊ အားသွင်း-အားလျော့ခြင်း ዑደብများအတွင်း interface အက်ကွဲခြင်းကို လျှော့ချပေးခြင်းနှင့် composite စနစ်များတွင် lithium-ion ရွှေ့ပြောင်းမှုအတွက် ကောင်းမွန်သော လမ်းကြောင်းများကို ဖန်တီးပေးနိုင်ပါသည်။

၄။ တင်းကျပ်သော မသန့်စင်မှု ထိန်းချုပ်မှုဖြင့် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှု

ဘက်ထရီအဆင့် nano-h-BN သည် လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ဘေးထွက်တုံ့ပြန်မှုများကို ကာကွယ်ရန်အတွက် မသန့်စင်မှုအဆင့်ကို တင်းကျပ်စွာ ထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ သန့်စင်မှုမြင့်မားသော အဆင့်များသည် ပုံမှန်အားဖြင့် BN ပါဝင်မှု ≥99.0%–99.9% ရရှိပြီး ၊ ထိန်းချုပ်ထားသော B₂O₃ ပါဝင်မှု 0.5% အောက်ရှိပြီး ကာဗွန်မသန့်စင်မှုများကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသည်။ မသန့်စင်မှုပါဝင်မှု လျော့နည်းခြင်းသည် အီလက်ထရိုလိုက်ပြိုကွဲခြင်း၊ ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လုပ်မှု၊ စွမ်းရည်ဆုံးရှုံးမှုနှင့် မိုက်ခရို-ရှော့ပတ်လမ်းအန္တရာယ်များကို ရှောင်ရှားရန် ကူညီပေးသည်။ ဤသန့်စင်မှုမြင့်မားသော ဝိသေသလက္ခဏာသည် လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများ၊ အစိုင်အခဲဘက်ထရီများနှင့် ရှည်လျားသော သံသရာတည်ငြိမ်မှုလိုအပ်သော အဆင့်မြင့်စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များတွင် အသုံးချမှုများအတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။

၅။ အလွန်ကောင်းမွန်သော ပျံ့နှံ့မှုစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အင်တာဖေ့စ် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှု

နာနို-h-BN အမှုန်များကို ပုံမှန်အားဖြင့် 50 nm မှ 500 nm အထိ ထိန်းချုပ်ထားသော အမှုန်အရွယ်အစားများဖြင့် အင်ဂျင်နီယာပြုလုပ်ထားပြီး ပိုလီမာမက်ထရစ်များ၊ ကြွေထည်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းအရည်များနှင့် အီလက်ထရိုလိုက်စနစ်များတွင် တစ်ပြေးညီဖြန့်ဖြူးနိုင်စေပါသည်။ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ပျံ့နှံ့မှုသည် အမှုန်စုစည်းမှုကို ကာကွယ်ပေးပြီး အပူစီးကူးမှုကို တသမတ်တည်းသေချာစေပြီး ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းပုံတစ်လျှောက်တွင် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအားဖြည့်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ မျက်နှာပြင်ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနည်းပညာများသည် အော်ဂဲနစ်ချည်နှောင်ပစ္စည်းများနှင့် ပိုလီမာအီလက်ထရိုလိုက်များနှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုကို ပိုမိုတိုးတက်စေပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်သော လုပ်ဆောင်မှုစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တည်ငြိမ်သောလုပ်ဆောင်ချက်ဂုဏ်သတ္တိများကို ပေးစွမ်းသည်။

၆။ မြှင့်တင်ထားသော ဘက်ထရီဘေးကင်းရေးနှင့် စက်ဘီးစွမ်းဆောင်ရည်

nano-h-BN ပါဝင်မှုသည် အပူဖြန့်ဖြူးမှုကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် အပူချိန်စုပုံခြင်းကို နှိမ်နင်းခြင်းဖြင့် ဘက်ထရီဘေးကင်းရေးကို သိသိသာသာတိုးတက်စေနိုင်သည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသော အပူပျံ့နှံ့နိုင်စွမ်း (ပုံမှန်အားဖြင့် 1.0–2.0 cm²/s) သည် ဘက်ထရီမော်ဂျူးများအတွင်းရှိ အပူပြောင်းလဲမှုများကို လျှော့ချရန် ကူညီပေးသည်။ separator အလွှာများတွင် nano-h-BN သည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုနှင့် အပူကျုံ့မှုခံနိုင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်များတွင် separator ၏ တည်တံ့မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပြီး separator ပျက်ကွက်မှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အပူယိုစိမ့်မှုဖြစ်နိုင်ခြေကို လျှော့ချပေးနိုင်သည်။

နာနို-ဆဋ္ဌဂံ ဘိုရွန် နိုက်ထရိုက်၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

ပုံမှန် ရူပဗေဒနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ

parameter	သတ်မှတ်ချက်/တန်ဖိုး	စမ်းသပ်နည်းလမ်း / မှတ်ချက်များ
အဓိကအကြောင်းအရာ (h-BN)	≥ ၉၉.၈% – ၉၉.၉%	XRD / ဓာတုဗေဒ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း
Particle Size Distribution (D50)	၁ μm – ၁၀ μm (နာနိုစာရွက်ကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်)	လေဆာ ဒစ်ဖရက်ရှင်း / BET
ဘိုရစ်အောက်ဆိုဒ် (B₂O₃)	≤ ၀.၀၅% – ၀.၁%	ICP-OES / တိုင်းထရေးရှင်း
ကာဗွန်ပါဝင်မှု (C)	≤ ၀.၀၅% – ၀.၁%	အနီအောက်ရောင်ခြည်စုပ်ယူမှု
အစိုဓာတ် (H₂O)	≤ 0.5%	၁၀၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် အခြောက်ခံခြင်း၊ ကိုယ်အလေးချိန်ကျဆင်းခြင်း
သိပ်သည်းမှု	0.2 – 0.4 g/cm³	ဖန်နယ်နည်းလမ်း
သတ်မှတ်ထားသော မျက်နှာပြင်ဧရိယာ (BET)	၁၀ – ၈၀ m²/g (အမှုန်အရွယ်အစားပေါ် မူတည်သည်)	နိုက်ထရိုဂျင်စုပ်ယူမှု BET
အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း (ဖလင်/ပေါင်းစပ်)	30 – 60 W/(m·K)	လေဆာဖလက်ရှ်နည်းလမ်း
ပြိုကွဲနေသော ဗို့အား (လျှပ်ကာပြား)	> ၄ ကီလိုဗို့	Voltage Tester ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

အဓိက အရည်အသွေး ထိန်းချုပ်မှု အချက်များ

၁။ သန့်စင်မှုနှင့် မသန့်စင်မှု ထိန်းချုပ်ခြင်း
ဘက်ထရီအဆင့် nano-h-BN သည် လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ရေရှည်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေရန် ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုကို တင်းကျပ်စွာ ထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ပုံမှန် BN ပါဝင်မှုမှာ ≥၉၈%–၉၉%အညစ်အကြေးအဆင့်များဖြစ်သည့် B₂O₃ ကို ၀.၅% အောက်တွင် ထိန်းချုပ်ထားသင့်သည် နှင့် ကာဗွန်ပါဝင်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားသည် ≤၈%–၁၀% အသုံးချမှုလိုအပ်ချက်ပေါ် မူတည်၍။ အောက်ဆိုဒ်မသန့်စင်မှုများ လွန်ကဲခြင်းသည် electrolyte ပြိုကွဲမှုကို အရှိန်မြှင့်စေပြီး မျက်နှာပြင်ခုခံမှုကို တိုးမြင့်စေသော်လည်း၊ ကျန်ရှိသော ကာဗွန်အမှုန်များသည် မလိုလားအပ်သော လျှပ်စစ်စီးကူးမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး အလိုအလျောက် ယိုစိမ့်ခြင်း၊ လျှပ်စီးကြောင်းယိုစိမ့်ခြင်း သို့မဟုတ် မိုက်ခရိုရှော့ပတ်လမ်းအန္တရာယ်များ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ဘက်ထရီစနစ်များတွင်။

၂။ ပုံဆောင်ခဲဖြစ်ခြင်းနှင့် မော်ဖိုလောဂျီ ထိန်းချုပ်ခြင်း
nano-h-BN ၏ အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အမှုန်ပုံသဏ္ဍာန်ပေါ်တွင် များစွာမူတည်ပါသည်။ အရည်အသွေးမြင့် h-BN တွင် ပုံမှန်အားဖြင့် ပုံဆောင်ခဲအဆင့်ထက် ပိုမိုမြင့်မားသော ကောင်းမွန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးပြီး ဆဋ္ဌဂံပုံသဏ္ဍာန် ပုံဆောင်ခဲများ ပါရှိသည်။ 90%အပူသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးလမ်းကြောင်းများ တိုးတက်ကောင်းမွန်လာခြင်းနှင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။ separator coatings နှင့် interface modification ကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်အသုံးချမှုများအတွက်၊ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် အထူရှိသော nano-scale BN nanosheets (BNNSs) များသည် 5-100 nm နှင့် ဘေးတိုက်အရွယ်အစားများမှစ၍ ၁၀၀ nm မှ မိုက်ခရိုမီတာ အများအပြားအထိ မျက်နှာပြင် အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှု ပိုမိုကောင်းမွန်လာခြင်း၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အားဖြည့်မှုနှင့် ပိုမိုတပြေးညီ လုပ်ဆောင်နိုင်သော အပေါ်ယံလွှာများကို ပေးစွမ်းသည်။

၃။ အမှုန်အရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် ပျံ့နှံ့မှုစွမ်းဆောင်ရည်
ဘက်ထရီပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများတွင် တသမတ်တည်းစွမ်းဆောင်ရည်ရရှိရန်အတွက် အမှုန်အရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှု တသမတ်တည်းရှိခြင်းသည် အရေးကြီးပါသည်။ နာနို-h-BN အမှုန့်များကို အမှုန်အရွယ်အစားအပိုင်းအခြားအတွင်း ထိန်းချုပ်ထားလေ့ရှိသည် ၃၆၀ နာနိုမီတာ–၇၈၀ နာနိုမီတာအမှုန်အမွှားများစုပုံခြင်းကို လျှော့ချရန်အတွက် အကောင်းဆုံးအဆင့်များသည် ကျဉ်းမြောင်းသောဖြန့်ဖြူးမှုသို့ရောက်ရှိခြင်းဖြင့်။ h-BN တွင် အလွှာဖွဲ့စည်းပုံနှင့် မျက်နှာပြင်စွမ်းအင်နည်းပါးသောကြောင့်၊ ကုသမှုမပြုလုပ်ထားသော အမှုန့်များသည် သိုလှောင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ခြင်းအတွင်း အစိုဓာတ်ကို စုပ်ယူနိုင်သည် သို့မဟုတ် ကျောက်စရစ်ခဲများဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် အစိုဓာတ်ပါဝင်မှုကို ပုံမှန်အားဖြင့် ထိန်းချုပ်ထားသည်။ ≤0.5%, နှင့် မျက်နှာပြင်ပြုပြင်ခြင်း သို့မဟုတ် ပျံ့နှံ့မှုကုသမှုကို ပိုလီမာမက်ထရစ်များ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းအရည်များနှင့် အီလက်ထရိုလိုက်စနစ်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှုကို မြှင့်တင်ရန် အသုံးပြုပြီး တစ်သားတည်းဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် တည်ငြိမ်သော အပူစွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေသည်။

၄။ အပူစွမ်းဆောင်ရည် တသမတ်တည်းရှိမှု
ဘက်ထရီအပူစီမံခန့်ခွဲမှုအသုံးချမှုများအတွက် nano-h-BN သည် ပြုပြင်ပြီးနောက် တည်ငြိမ်သောအပူဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းသိမ်းရမည်။ အရည်အသွေးမြင့်ထုတ်ကုန်များသည် ယေဘုယျအားဖြင့် အပူစီးကူးမှုတန်ဖိုးများကို ပေးစွမ်းသည် 100–600 W/m·K ပုံဆောင်ခဲ ဦးတည်ချက်၊ အမှုန်အရွယ်အစားနှင့် ပေါင်းစပ်ဖော်မြူလာပေါ် မူတည်သည်။ တသမတ်တည်း အပူစွမ်းဆောင်ရည်သည် ထိရောက်သော အပူလွှဲပြောင်းမှုကို သေချာစေပြီး ဒေသတွင်း အပူချိန်စုပုံမှုကို လျော့နည်းစေကာ အဆင့်မြင့် ဘက်ထရီစနစ်များ၏ ဘေးကင်းမှုနှင့် လည်ပတ်မှုတည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေသည်။

၅။ မျက်နှာပြင်ဓာတုဗေဒနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်လိုက်ဖက်ညီမှု

nano-h-BN ၏ မျက်နှာပြင်ဝိသေသလက္ခဏာများသည် ချည်နှောင်ပစ္စည်းများ၊ ပိုလီမာများနှင့် အီလက်ထရိုလိုက် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ၎င်း၏ အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှုအပေါ် တိုက်ရိုက်လွှမ်းမိုးမှုရှိသည်။ ထိန်းချုပ်ထားသော မျက်နှာပြင် ပြုပြင်မွမ်းမံမှုသည် စိုစွတ်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေခြင်း၊ စုပုံခြင်းကို လျှော့ချခြင်းနှင့် ပျံ့နှံ့မှု တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။ သီးခြား မျက်နှာပြင်ဧရိယာ (5–50 m²/g) ၊ မျက်နှာပြင် လုပ်ဆောင်ချက်အုပ်စုများနှင့် အစိုဓာတ်ခံနိုင်ရည်ရှိမှုကဲ့သို့သော အဓိက ကန့်သတ်ချက်များကို ယုံကြည်စိတ်ချရသော interface ချိတ်ဆက်မှုနှင့် တစ်ပြေးညီ ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိရန် မတူညီသော ဘက်ထရီထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များအလိုက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်သင့်သည်။

နာနို-ဆဋ္ဌဂံ ဘိုရွန် နိုက်ထရိုက် (h-BN) ၏ အသုံးချမှုများ

နာနို-ဆဋ္ဌဂံဘိုရွန်နိုက်ထရိုက် (h-BN) သည် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားခြင်း၊ လျှပ်စစ်လျှပ်ကာမှု၊ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မတည်မငြိမ်ဖြစ်မှုနှင့် နှစ်ဘက်မြင်အလွှာဖွဲ့စည်းပုံ တို့၏ ထူးခြားသောပေါင်းစပ်မှုကြောင့် အဆင့်မြင့်ဘက်ထရီနည်းပညာများတွင် သိသာထင်ရှားသော အာရုံစိုက်မှုကို ရရှိခဲ့သည်။ ရိုးရာလျှပ်ကူးကာဗွန်ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများနှင့်မတူဘဲ၊ နာနို-h-BN သည် အပူလွှဲပြောင်းမှုကို ထိန်းညှိပေးနိုင်ပြီး အီလက်ထရွန်နစ်စီးကူးနိုင်စွမ်းအပိုများကို မိတ်ဆက်ခြင်းမရှိဘဲ ဖွဲ့စည်းပုံတည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသောကြောင့် အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဘေးကင်းရေးနှစ်မျိုးလုံးလိုအပ်သော အသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။ ၎င်း၏ နာနိုစကေးပုံသဏ္ဍာန်၊ မျက်နှာပြင်ဧရိယာမြင့်မားခြင်းနှင့် ပိုလီမာ၊ ကြွေထည်နှင့် အီလက်ထရိုလိုက်စနစ်များနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှုသည် အပူစီမံခန့်ခွဲမှုပစ္စည်းများ၊ ခွဲထုတ်ကိရိယာများ၊ အီလက်ထရုတ်များ၊ အီလက်ထရိုလိုက်များနှင့် နောက်မျိုးဆက်စွမ်းအင်သိုလှောင်ကိရိယာများတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုများကို ဖြစ်စေသည်။

၁။ ဘက်ထရီ အပူစီမံခန့်ခွဲမှုပစ္စည်းများ

Nano-h-BN သည် ၎င်း၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် dielectric insulation ဂုဏ်သတ္တိများ အလွန်ကောင်းမွန်သောကြောင့် ဘက်ထရီအပူစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များတွင် လုပ်ဆောင်နိုင်သော ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းအဖြစ် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း 100–600 W/m·K နှင့် 10¹² Ω·cm အထက်ရှိ လျှပ်စစ်ခုခံမှုရှိသောကြောင့် nano-h-BN သည် မြင့်မားသောနှုန်းဖြင့် အားသွင်းခြင်းနှင့် အားလျော့ခြင်းအတွင်း ဖြစ်ပေါ်လာသော အပူကို လျင်မြန်စွာ လွှဲပြောင်းပေးနိုင်ပြီး ဘက်ထရီအစိတ်အပိုင်းများအကြား လျှပ်စစ်ယိုစိမ့်မှုကို ကာကွယ်ပေးသည်။

အပူမျက်နှာပြင်ပစ္စည်းများတွင်၊ nano-h-BN အမှုန်များကို ဆီလီကွန်၊ epoxy နှင့် polyurethane ကဲ့သို့သော ပိုလီမာမက်ထရစ်များထဲသို့ ထည့်သွင်းထားပြီး အပူပျံ့နှံ့မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဖြည့်သွင်းကိရိယာတင်ခြင်းနှင့် ဦးတည်ချက်ပေါ် မူတည်၍ 10 wt%–60 wt% nano-h-BN ထည့်သွင်းခြင်းသည် သန့်စင်သောပိုလီမာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပေါင်းစပ်အပူစီးကူးမှုကို ၂-၁၀ ဆ တိုးမြှင့်ပေးနိုင်ပါသည် ။ ဤပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများကို ဘက်ထရီအအေးပေးပြားများ၊ အပူလျှပ်ကာဖလင်များ၊ မော်ဂျူးထုပ်ပိုးပစ္စည်းများနှင့် လျှပ်စစ်ယာဉ်ဘက်ထရီစနစ်များအတွက် အပူပျံ့နှံ့မှုအလွှာများတွင် အသုံးများပါသည်။

ဘက်ထရီအဖုံးအုပ်ခြင်းနှင့် အကာအကွယ်အပေါ်ယံလွှာများအတွက်၊ nano-h-BN သည် ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုအလွန်ကောင်းမွန်သော ပေါ့ပါးသောအပူအတားအဆီးကို ပေးစွမ်းသည်။ အပေါ်ယံလွှာအထူကို 5–100 μm အတွင်း ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး အပိုအလေးချိန်ကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးခြင်းဖြင့် အပူစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းပေးနိုင်သည်။ ပါဝါမြင့်လည်ပတ်မှုအတွင်း၊ h-BN အပေါ်ယံလွှာများသည် ဆဲလ်များအကြား အပူချိန်ကွာခြားချက်များကို လျှော့ချရန်၊ ဒေသတွင်းအပူလွန်ကဲမှုကို နှိမ်နင်းရန်နှင့် 5C–10C အမြန်အားသွင်းပတ်ဝန်းကျင် ကဲ့သို့သော လိုအပ်ချက်များသောအခြေအနေများတွင် ဘက်ထရီဘေးကင်းရေးကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန် ကူညီပေးသည် ။

၂။ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဘက်ထရီဘေးကင်းရေးအတွက် ခွဲထုတ်အလွှာများ

Nano-h-BN သည် အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုနှင့် electrolyte တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှုကြောင့် လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီခွဲထုတ်သူများအတွက် အဆင့်မြင့်ကြွေအုပ်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ nano-h-BN nanosheets များကို polyolefin ခွဲထုတ်ကိရိယာများ၊ ဖန်ဖိုက်ဘာအမြှေးပါးများ သို့မဟုတ် ကြွေခွဲထုတ်ကိရိယာများပေါ်တွင် အုပ်ထားခြင်းဖြင့် အလွန်အမင်းလည်ပတ်မှုအခြေအနေများတွင် ခွဲထုတ်ကိရိယာတည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန် အကာအကွယ်ပေးသော inorganic အလွှာတစ်ခုဖွဲ့စည်းထားသည်။

h-BN အပေါ်ယံလွှာသည် ပုံမှန်အားဖြင့် 1–20 μm အထူရှိပြီး ခွဲထုတ်မှုခံနိုင်ရည်ကို သိသိသာသာမြင့်တက်စေခြင်းမရှိဘဲ ထိရောက်သောအပူကာကွယ်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 3000°C ရှိသော ၎င်း၏ မြင့်မားသောအရည်ပျော်မှတ်နှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်ရှိမှုကြောင့် nano-h-BN သည် ခွဲထုတ်မှုအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်များတွင် ကျုံ့ခြင်းကို လျှော့ချနိုင်သည်။ ပြုပြင်ထားသော ခွဲထုတ်မှုများသည် 150–200°C အထက်တွင် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတည်တံ့မှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပြီး ခွဲထုတ်မှုပုံပျက်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အတွင်းပိုင်းတိုတောင်းသောပတ်လမ်းများဖြစ်နိုင်ခြေကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးသည်။

nano-h-BN ၏ အလွှာလိုက်ဖွဲ့စည်းပုံသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုနှင့် လီသီယမ်ဒန်းဒရိုက်ထိုးဖောက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုကိုလည်း တိုးတက်စေသည်။ အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ထားသော အပေါ်ယံလွှာဖော်မြူလာများဖြင့် ခွဲထုတ်ပေါက်ခြင်းခံနိုင်ရည်ကို ၂၀% မှ ၁၀၀% အထိ တိုးမြှင့်နိုင်ပြီး လီသီယမ်-သတ္တုဘက်ထရီများနှင့် အခြားမြင့်မားသောစွမ်းအင်သိပ်သည်းဆဘက်ထရီစနစ်များအတွက် အပိုကာကွယ်မှုပေးပါသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ h-BN မျက်နှာပြင်များ၏ ရေဓာတ်ဖြည့်တင်းပြုပြင်မွမ်းမံမှုသည် အီလက်ထရိုလိုက်စိုစွတ်မှုကို တိုးတက်စေပြီး အီလက်ထရိုလိုက်စုပ်ယူမှုကို ၂၀% မှ ၆၀% အထိ တိုးမြှင့်ပေးပြီး ပိုမိုတပြေးညီအိုင်းယွန်းသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

၃။ အီလက်ထရုတ်ပစ္စည်း ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများ

Nano-h-BN သည် cathode နှင့် anode ပစ္စည်းနှစ်မျိုးလုံးတွင် ဘက်စုံသုံး ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းအဖြစ် လုပ်ဆောင်ပြီး ဖွဲ့စည်းပုံတည်ငြိမ်မှု၊ အပူချိန်ထိန်းညှိမှုနှင့် ရေရှည်လည်ပတ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသည်။

LiFePO₄ (LFP)၊ NCM နှင့် လီသီယမ်ကြွယ်ဝသောပစ္စည်းများ ကဲ့သို့သော ကတ်သုတ်စနစ်များတွင် ၊ nano-h-BN သည် တက်ကြွသောအမှုန်များကြားရှိ အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့်သာမြင်ရသော ကွာဟချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးပြီး တည်ငြိမ်သော အင်အော်ဂဲနစ်အားဖြည့်ကွန်ရက်ကို ဖွဲ့စည်းပေးသည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသောအပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဓာတ်ပြုမှုများအတွင်း ဖြစ်ပေါ်လာသောအပူကို ဖြန့်ဝေရန်ကူညီပေးပြီး ၎င်း၏ဓာတုတည်ငြိမ်မှုသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများနှင့် အီလက်ထရိုလိုက်များကြားရှိ မလိုလားအပ်သော ဘေးထွက်ဓာတ်ပြုမှုများကို လျော့နည်းစေသည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် 0.5 wt%–10 wt% တွင်ထည့်သွင်းထားသော nano-h-BN သည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းတည်တံ့မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေခြင်း၊ အမှုန်အက်ကွဲခြင်းကို လျှော့ချခြင်းနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲအားသွင်း-အားထုတ်မှုစက်ဝန်းများအတွင်း စွမ်းရည်ထိန်းသိမ်းမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။

ဆီလီကွန်အခြေခံ anode များအတွက် nano-h-BN သည် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများ၏ ပြင်းထန်သော ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုကို ဖြေရှင်းရန် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော အကာအကွယ်ဘောင်ကို ပေးစွမ်းပြီး lithiation နှင့် delithiation လုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း 300% မှ 400% အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည် ။ h-BN ၏ အလွှာလိုက်ဖွဲ့စည်းပုံသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိစီးမှုကို စုပ်ယူရန်၊ အစိုင်အခဲ electrolyte interphase (SEI) ကို တည်ငြိမ်စေရန်နှင့် ထပ်ခါတလဲလဲ SEI ပျက်စီးမှုကို လျှော့ချရန် ကူညီပေးသည်။ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 1 wt% မှ 8 wt% အထိ အကောင်းဆုံးထည့်သွင်းမှုအဆင့်များဖြင့် nano-h-BN သည် လည်ပတ်မှုတည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေခြင်း၊ electrode ဖွဲ့စည်းပုံကို ထိန်းသိမ်းခြင်းနှင့် lithium-ion ပျံ့နှံ့မှုကို အထောက်အကူပြုနိုင်သည်။

၄။ အီလက်ထရိုလိုက် လုပ်ဆောင်ချက်ဆိုင်ရာ ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများ

Nano-h-BN ကို အရည် electrolytes၊ polymer electrolytes နှင့် solid-state electrolyte စနစ်များတွင် လုပ်ဆောင်ချက်ဆိုင်ရာ ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းအဖြစ် ထည့်သွင်းနိုင်သည်။ ၎င်း၏ ဓာတုဗေဒအရ တည်ငြိမ်သော မျက်နှာပြင်နှင့် nanoscale interface အာနိသင်ကြောင့် h-BN သည် အိုင်းယွန်းဖြန့်ဖြူးမှုကို ထိန်းညှိပေးခြင်း၊ electrolyte တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေခြင်းနှင့် electrode-electrolyte interaction များကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။

ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 0.1 wt%–5 wt% ပြင်းအားတွင်ထည့်သွင်းသောအခါ ၊ nano-h-BN အမှုန်များသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းမျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် ပိုမိုတည်ငြိမ်သော အပြန်အလှန်အလွှာများဖွဲ့စည်းခြင်းကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပြီး electrolyte ပြိုကွဲမှုကို လျှော့ချပေးပြီး လည်ပတ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။ ၎င်း၏ကြွေထည်ဂုဏ်သတ္တိများသည် အပိုဆောင်းအပူတည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင် electrolytes များ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းရန်ကူညီပေးသည်။

solid-state ဘက်ထရီစနစ်များတွင် nano-h-BN သည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုကို တိုးတက်စေပြီး interface ယိုယွင်းမှုကို နှိမ်နင်းရန်အတွက် အားဖြည့်အဆင့်အဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ၎င်း၏ dielectric strength မြင့်မားခြင်း၊ ပုံမှန်အားဖြင့် 10 kV/mm အထက်ရှိခြင်း နှင့် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု အလွန်ကောင်းမွန်ခြင်းတို့ ပေါင်းစပ်ထားခြင်းကြောင့် ဘေးကင်းမှုနှင့် တာရှည်ခံမှု နှစ်မျိုးလုံးလိုအပ်သော အဆင့်မြင့် solid electrolyte ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

၅။ နောက်မျိုးဆက် ဘက်ထရီစနစ်များတွင် အသုံးချမှုများ

ရိုးရာလီသီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများအပြင်၊ nano-h-BN ကို အလူမီနီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများ၊ ဆိုဒီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများ၊ လီသီယမ်-သတ္တုဘက်ထရီများနှင့် hybrid solid-state စနစ်များအပါအဝင် ပေါ်ထွက်လာသော စွမ်းအင်သိုလှောင်နည်းပညာများတွင် စူးစမ်းလေ့လာလျက်ရှိသည်။

အလူမီနီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများတွင်၊ nano-h-BN ကို AlCl₄⁻ အိုင်းယွန်း များ၏ ရွေ့လျားမှုကို ထိန်းညှိရန်၊ တစ်ပြေးညီ အလူမီနီယမ် စုပုံမှုကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် dendrite ဖွဲ့စည်းမှုကို နှိမ်နင်းရန်အတွက် separator ပြုပြင်မွမ်းမံသည့်အလွှာအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ h-BN ၏ ဓာတုဗေဒအရ အစွမ်းမဲ့ဖွဲ့စည်းပုံသည် အိုင်းယွန်းအရည် electrolytes များနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။ ရေရှည်လည်ပတ်မှုတည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေသည်။

ဆိုဒီယမ်-အိုင်းယွန်းနှင့် လီသီယမ်-သတ္တုဘက်ထရီများတွင်၊ နာနို-h-BN အလွှာများသည် အီလက်ထရုတ်မျက်နှာပြင်များကို တည်ငြိမ်စေပြီး စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြာရှည်ခံမှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန် ကူညီပေးသည်။ ၎င်း၏ နာနိုစာရွက်ဖွဲ့စည်းပုံသည် ထိရောက်သော အိုင်းယွန်းသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးလမ်းကြောင်းများကို ထိန်းသိမ်းပေးနေစဉ်တွင် မထိန်းချုပ်နိုင်သော သတ္တုကြီးထွားမှုကို ကာကွယ်ပေးသည့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအတားအဆီးတစ်ခုကို ပေးစွမ်းသည်။

Nano-h-BN ကို သတ္တု-လေဘက်ထရီများနှင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင်ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာများကဲ့သို့သော စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းစနစ်များတွင် ဓာတ်ကူပစ္စည်းအဖြစ်လည်း အသုံးပြုပါသည်။ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 5–50 m²/g သတ်မှတ်ထားသော မျက်နှာပြင်ဧရိယာဖြင့် h-BN သည် ဓာတ်ကူပစ္စည်းနာနိုအမှုန်များ ပျံ့နှံ့စေရန် တည်ငြိမ်သောပလက်ဖောင်းတစ်ခုကို ပံ့ပိုးပေးပြီး ဓာတ်ကူပစ္စည်းအသုံးပြုမှုနှင့် ရေရှည်လည်ပတ်မှုအတွင်း သံချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါသည်။

၆။ ဘက်ထရီ အစိတ်အပိုင်းများအတွက် အဆင့်မြင့် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ

Nano-h-BN ကို ပိုလီမာပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၊ ကြွေပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများနှင့် ဟိုက်ဘရစ်ပစ္စည်းများတွင် ပေါင်းစပ်အသုံးပြု၍ စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများပါရှိသော မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ဘက်ထရီအစိတ်အပိုင်းများကို တီထွင်နိုင်ပါသည်။ မျက်နှာပြင်ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနှင့် အမှုန်အရွယ်အစား အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် nano-h-BN သည် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် လျှပ်စစ်လျှပ်ကာကောင်းမွန်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ်တွင် ပေါင်းစပ်စနစ်များတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ပျံ့နှံ့မှုကို ရရှိနိုင်ပါသည်။

ပုံမှန် nano-h-BN အမှုန်အရွယ်အစားများသည် 50 nm မှ 500 nm အထိ ရှိပြီး အသုံးချမှုလိုအပ်ချက်များအရ စိတ်ကြိုက်အဆင့်များ ရရှိနိုင်ပါသည်။ အမှုန်ပုံသဏ္ဌာန်၊ သန့်စင်မှုအဆင့် ( ≥99.0%–99.9% BN ပါဝင်မှု ) နှင့် မျက်နှာပြင်ဝိသေသလက္ခဏာများကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သူများသည် အပူဖလင်များ၊ ခွဲထုတ်အလွှာများ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းချည်နှောင်ပစ္စည်းများ၊ အီလက်ထရိုလိုက်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများနှင့် အခြားအဆင့်မြင့်ဘက်ထရီအသုံးချမှုများအတွက် nano-h-BN ပစ္စည်းများကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်နိုင်သည်။

၎င်း၏ ဘက်စုံသုံး ဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် nano-h-BN သည် ဘက်ထရီဘေးကင်းရေး၊ အပူချိန်စီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းရည်နှင့် ရေရှည်လည်ပတ်မှုယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကို တိုးတက်စေရန်အတွက် ထိရောက်သောဖြေရှင်းချက်တစ်ခုကို ပေးစွမ်းပြီး နောက်မျိုးဆက် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအတွက် အရေးကြီးသောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်လာစေသည်။

ကုမ္ပဏီ Profile ကို

Luoyang Tongrun Nano Technology Co., Ltd. (TRUNNANO) သည် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ဘက်ထရီပစ္စည်းများ ပေးသွင်းသူနှင့် ထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် လစ်သီယမ်-အိုင်းယွန်း၊ ဆိုဒီယမ်-အိုင်းယွန်းနှင့် အခြားအဆင့်မြင့် ဘက်ထရီပစ္စည်းများကို အထူးပြုပြီး 3C အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ ပါဝါဘက်ထရီများနှင့် စွမ်းအင်သိုလှောင်စနစ်များကို ဝန်ဆောင်မှုပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ထုတ်ကုန်များတွင် နာနိုကိုဘော့အောက်ဆိုဒ်၊ နာနိုမန်းဂနိစ်အောက်ဆိုဒ်၊ ဆီလီကွန်-ကာဗွန်အန်နုတ်ပစ္စည်းများ၊ မာကျောသောကာဗွန်၊ NFPP၊ အလူမီနာ၊ ဘိုရွန်နိုက်ထရိုက်နှင့် အခြားအရာများ ပါဝင်သည်။ အားလုံးကို ကျွန်ုပ်တို့၏ အိမ်တွင်းဓာတ်ခွဲခန်းနှင့် ပရော်ဖက်ရှင်နယ်နည်းပညာအဖွဲ့မှ ပံ့ပိုးပေးသော တင်းကျပ်သော အရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှုအောက်တွင် ထုတ်လုပ်ထားသည်။ ယုံကြည်စိတ်ချရသော ဘက်ထရီပစ္စည်းများကို ရှာဖွေနေပါက ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ သို့မဟုတ် မေးမြန်းစုံစမ်းနိုင်ပါသည်။

ငွေပေးချေမှုရမည့်နည်းလမ်းများ

L/C၊ T/T၊ Western Union၊ Paypal၊ Credit Card စသည်ဖြင့်

တင်ပို့

ပင်လယ်ရေကြောင်းဖြင့်၊ လေကြောင်းဖြင့် သို့မဟုတ် ငွေပေးချေပြီးသည်နှင့် အမြန်ဖြင့်။

နာနို-ဆဋ္ဌဂံ ဘိုရွန် နိုက်ထရိုက် ပက်ကေ့ဂျ်

ထုပ်ပိုးအသေးစိတ်ဖော်ပြချက်

• အလူမီနီယံသတ္တုပြားအိတ်များ၊ ရက်လုပ်ထားသောအိတ်များ သို့မဟုတ် အစိုဓာတ်ကာကွယ်ရန်အတွက် နှစ်ထပ်ပလတ်စတစ်အတွင်းခံများပါသည့် စက္ကူ-ပလတ်စတစ်ပေါင်းစပ်အိတ်များဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။
• စံထုပ်ပိုးမှု- ၁ ကီလိုဂရမ်/အိတ် သို့မဟုတ် ၂၅ ကီလိုဂရမ်/အိတ်။
• ဖုန်စုပ်ထုပ်ပိုးမှု သို့မဟုတ် ဓာတ်ငွေ့ဖြင့်ကာကွယ်ထားသော ထုပ်ပိုးမှု အပါအဝင် တောင်းဆိုမှုအပေါ် စိတ်ကြိုက်ထုပ်ပိုးမှုရွေးချယ်စရာများ ရရှိနိုင်ပါသည်။

သိုလှောင်ခြင်းအခြေအနေ

• အေးပြီးခြောက်သွေ့သော၊ လေဝင်လေထွက်ကောင်းသောနေရာတွင် ဆွေမျိုးစိုထိုင်းဆ ၆၀% အောက်ရှိသောနေရာတွင် သိမ်းဆည်းပါ။
• အပူချိန်မြင့်မားပြီး စိုထိုင်းဆမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်ကို ရှောင်ကြဉ်ပါ။
• h-BN ၏ ရေငွေ့စုပ်ယူမှုနှင့် အမှုန်အမွှားများ စုပုံခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အသုံးပြုပြီးသည်နှင့် ချက်ချင်းပြန်ပိတ်ပါ။
• ရေရှည်သိုလှောင်ရန်အတွက် အစိုဓာတ်ထိန်းပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် ခြောက်သွေ့သော ဗီဒိုများကို အကြံပြုထားသည်။

ကမ်းလွန်ရေတိမ်ပိုင်းဘဝ
ထုတ်လုပ်သည့်နေ့မှစ၍ အကြံပြုထားသော သိုလှောင်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် ၂၄ လ။ သက်တမ်းကုန်ဆုံးပြီးနောက်၊ အမှုန်အရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှု (D10/D50/D90)၊ BET မျက်နှာပြင်ဧရိယာ၊ အစိုဓာတ် (ခြောက်သွေ့ချိန်တွင် ဆုံးရှုံးမှု) နှင့် ပျော်ဝင်နိုင်သော ဘိုရွန်ပါဝင်မှု အပါအဝင် အဓိကညွှန်းကိန်းများကို အသုံးမပြုမီ ပြန်လည်အကဲဖြတ်ရမည်။

နာနို-ဆဋ္ဌဂံ ဘိုရွန် နိုက်ထရိုက်၏ မကြာခဏမေးလေ့ရှိသော မေးခွန်းများ ၅ ခု

Q1: nano-h-BN ကို ဘက်ထရီအပူစီမံခန့်ခွဲမှုအသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်စေသည့်အရာကား အဘယ်နည်း။

Nano-h-BN သည် အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်း၊ လျှပ်စစ်လျှပ်ကာမှုကောင်းမွန်ခြင်းနှင့် တစ်ခုတည်းသောပစ္စည်းတွင် ထူးကဲသော အပူတည်ငြိမ်မှုတို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် အဆင့်မြင့်ဘက်ထရီစနစ်များအတွက် စံပြအပူစီမံခန့်ခွဲမှုပစ္စည်းတစ်ခုအဖြစ် သတ်မှတ်ခံရသည်။ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ၊ အမှုန်အရွယ်အစားနှင့် ဦးတည်ချက်ပေါ် မူတည်၍ nano-h-BN သည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 100–600 W/m·K ရှိသော အပူစီးကူးမှုတန်ဖိုးများကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး ဘက်ထရီဆဲလ်များမှ အပူကို ထိရောက်စွာလွှဲပြောင်းပေးနိုင်ပြီး မြင့်မားသောနှုန်းဖြင့် အားသွင်းခြင်းနှင့် အားလျော့ခြင်းအတွင်း ဒေသတွင်းအပူချိန်စုဆောင်းမှုကို လျှော့ချပေးသည်။ ဂရပ်ဖိုက် သို့မဟုတ် ကာဗွန်အခြေခံပစ္စည်းများကဲ့သို့သော ရိုးရာလျှပ်ကူးအပူဖြည့်ပစ္စည်းများနှင့်မတူဘဲ nano-h-BN သည် ပုံမှန်အားဖြင့် 10¹²–10¹⁴ Ω·cm အထက်ရှိ လျှပ်စစ်ခုခံမှုကို ထိန်းသိမ်းထားသောကြောင့် မလိုလားအပ်သော လျှပ်စီးကြောင်းယိုစိမ့်မှုနှင့် အတွင်းပိုင်း short-circuit အန္တရာယ်များကို ကာကွယ်ပေးသည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသော dielectric strength ( >10 kV/mm ) သည် အပူပျံ့နှံ့မှုနှင့် လျှပ်စစ်ဘေးကင်းရေး နှစ်မျိုးလုံးလိုအပ်သည့် အပူမျက်နှာပြင်ပစ္စည်းများ၊ လျှပ်ကာဖလင်များ၊ ဘက်ထရီမော်ဂျူးအအေးပေးအလွှာများနှင့် အပူပျံ့နှံ့မှုနှင့် လျှပ်စစ်ဘေးကင်းရေး နှစ်မျိုးလုံးလိုအပ်သည့် encapsulation composites များအတွက် အထူးသင့်လျော်စေသည်။

ထို့အပြင်၊ nano-h-BN သည် အလွန်အမင်းအခြေအနေများတွင် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး လေထုထဲတွင် ၉၀၀°C အထက် အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အစွမ်းမဲ့ပတ်ဝန်းကျင်အောက်တွင် ၂၈၀၀°C ခန့်အထိ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုရှိသည် ။ ဤအလွန်ကောင်းမွန်သော တာရှည်ခံမှုသည် လျှပ်စစ်ကားဘက်ထရီများ၊ မြင့်မားသောပါဝါစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များနှင့် နောက်မျိုးဆက် solid-state ဘက်ထရီအသုံးချမှုများတွင် တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။

Q2: nano-h-BN က ဘက်ထရီခွဲထုတ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ဘယ်လိုတိုးတက်စေသလဲ။

ခွဲထုတ်အလွှာပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုသောအခါ၊ nano-h-BN သည် ရိုးရာ polyolefin ခွဲထုတ်ပစ္စည်းများ၊ ကြွေခွဲထုတ်ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် ဖန်ဖိုက်ဘာအမြှေးပါးများပေါ်တွင် တစ်ပြေးညီ inorganic အကာအကွယ်အလွှာတစ်ခုကို ဖွဲ့စည်းပေးသည်။ ဤအလွှာသည် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှု၊ electrolyte လိုက်ဖက်ညီမှုနှင့် dendrite ထိုးဖောက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို မြှင့်တင်ပေးခြင်းဖြင့် ခွဲထုတ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေသည်။ ရိုးရာ polymer ခွဲထုတ်ပစ္စည်းများ၏ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုသည် မြင့်မားသောအပူချိန်များတွင် အကန့်အသတ်ရှိပြီး၊ ကျုံ့ခြင်းသည် electrodes များအကြား တိုက်ရိုက်ထိတွေ့မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး အတွင်းပိုင်း short circuits များကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ Nano-h-BN အလွှာများသည် အပူချိန်ခံနိုင်ရည်ကို သိသိသာသာတိုးတက်စေပြီး 150–200°C အထက် အပူချိန်များတွင် ခွဲထုတ်မှုဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ တည်တံ့မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပြီး အလွှာဖော်မြူလာနှင့် အထူပေါ် မူတည်၍ အပူကျုံ့ခြင်းကို 30%–80% ခန့် လျှော့ချပေးနိုင်သည် ။

h-BN ၏ အလွှာလိုက် နာနိုစာရွက်ဖွဲ့စည်းပုံသည် ခွဲထုတ်ဘောင်ကိုလည်း အားဖြည့်ပေးသည်။ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 700–900 GPa ရှိသော Young's modulus ဖြင့် nano-h-BN သည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုကို တိုးတက်စေပြီး ထိုးဖောက်မှုခံနိုင်ရည်ကို 20%–100% တိုးမြှင့်ပေးနိုင် ပြီး လီသီယမ် dendrite ကြီးထွားမှုကို အပိုကာကွယ်မှုပေးပါသည်။ ထို့အပြင် မျက်နှာပြင်ပြုပြင်ထားသော h-BN သည် electrolyte ရေစိုနိုင်မှုကို တိုးတက်စေပြီး electrolyte စုပ်ယူမှုကို 20%–60% တိုးမြှင့် ပေးကာ ပိုမိုတပြေးညီ လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးကို မြှင့်တင်ပေးသောကြောင့် ဘက်ထရီဘေးကင်းရေးနှင့် လည်ပတ်မှုတည်ငြိမ်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

Q3: ဘက်ထရီအဆင့် nano-h-BN အတွက် အရေးကြီးသော အရည်အသွေး ကန့်သတ်ချက်များကား အဘယ်နည်း။

ဘက်ထရီအသုံးချမှုများတွင် nano-h-BN ၏စွမ်းဆောင်ရည်သည် ၎င်း၏ဓာတုသန့်စင်မှု၊ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ၊ အမှုန်ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ပျံ့နှံ့မှုဝိသေသလက္ခဏာများပေါ်တွင် များစွာမူတည်ပါသည်။ အရည်အသွေးမြင့် ဘက်ထရီအဆင့် nano-h-BN သည် electrolytes နှင့် electrode ပစ္စည်းများနှင့် မလိုလားအပ်သော ဓာတ်ပြုမှုများကို လျှော့ချရန်အတွက် BN သန့်စင်မှုအဆင့် ≥99.0%–99.9% လိုအပ်ပါသည် ။ မသန့်စင်မှုထိန်းချုပ်မှုသည် အရေးကြီးဆုံး အရည်အသွေးအချက်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ အောက်ဆိုဒ်မသန့်စင်မှုများ အလွန်အကျွံပါဝင်ခြင်းသည် မျက်နှာပြင်ဓာတ်ပြုမှုများကို တိုးမြင့်စေပြီး ဓာတုတည်ငြိမ်မှုကို လျော့ကျစေနိုင်သောကြောင့် B₂O₃ ပါဝင်မှုကို ယေဘုယျအားဖြင့် 0.5% အောက်တွင် ထိန်းချုပ်ထားသည် ။ ကာဗွန်မသန့်စင်မှုများကိုလည်း လျှော့ချသင့်ပြီး ပုံမှန်အားဖြင့် ≤0.1%–0.3% အတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသင့် ပြီး အီလက်ထရွန်စီးကူးမှု မြင့်တက်လာခြင်း၊ self-discharge နှင့် micro-short-circuit အန္တရာယ်များကို ကာကွယ်ရန်ဖြစ်သည်။

ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုအပြင်၊ ပုံဆောင်ခဲဖြစ်ခြင်းနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်သည် အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို တိုက်ရိုက်လွှမ်းမိုးသည်။ အရည်အသွေးမြင့် nano-h-BN သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ကောင်းမွန်စွာဖွံ့ဖြိုးထားသော ဆဋ္ဌဂံအလွှာဖွဲ့စည်းပုံများကို ပြသထားပြီး အမှုန်အရွယ်အစားများသည် 50 nm မှ 500 nm အထိ ရှိပြီး သတ်မှတ်ထားသော မျက်နှာပြင်ဧရိယာများသည် 5–50 m²/g အကြားရှိသည် ။ အမှုန်စုစည်းမှုသည် အပူစီးကူးမှုကို လျော့ကျစေပြီး အပေါ်ယံလွှာ တစ်ပြေးညီဖြစ်မှုကို ထိခိုက်စေကာ နောက်ဆုံးဘက်ထရီအစိတ်အပိုင်းများ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို လျော့ကျစေနိုင်သောကြောင့် တူညီသောပျံ့နှံ့မှုစွမ်းဆောင်ရည်သည်လည်း အရေးကြီးပါသည်။

မေးခွန်း ၄: nano-h-BN ကို ဆီလီကွန်အခြေခံ anode ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသလား။

ဟုတ်ကဲ့။ Nano-h-BN ကို ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မတည်မငြိမ်ဖြစ်မှုနှင့် အလွှာလိုက်ဖွဲ့စည်းပုံကြောင့် ဆီလီကွန်အခြေခံ အန်နုတ်စနစ်များအတွက် လုပ်ဆောင်နိုင်သော ဖြည့်စွက်ပစ္စည်း သို့မဟုတ် အကာအကွယ်ပေးသည့် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ် ပိုမိုလေ့လာလာကြသည်။ ဆီလီကွန် အန်နုတ်များသည် သီအိုရီအရ အလွန်မြင့်မားသော စွမ်းရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်သော်လည်း ၎င်းတို့၏ လက်တွေ့အသုံးချမှုသည် လီသီယမ်ထည့်သွင်းခြင်းနှင့် ထုတ်ယူခြင်းအတွင်း ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 300% မှ 400% အထိ ပြင်းထန်သော ထုထည်ချဲ့ထွင်မှုကြောင့် အကန့်အသတ်ရှိသည် ။ Nano-h-BN သည် ဆီလီကွန်အမှုန်များပတ်လည်တွင် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော အော်ဂဲနစ်မဟုတ်သော အားဖြည့်ကွန်ရက်တစ်ခု ဖွဲ့စည်းခြင်းဖြင့် ဤစိန်ခေါ်မှုကို ဖြေရှင်းရန် ကူညီပေးသည်။ ၎င်း၏ အလွှာလိုက်ဖွဲ့စည်းပုံသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိစီးမှုကို စုပ်ယူနိုင်ပြီး အမှုန်အမွှားများ ကြေမွခြင်းကို လျှော့ချပေးနိုင်ပြီး ထပ်ခါတလဲလဲ လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း အီလက်ထရုတ်၏ တည်တံ့မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးနိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ h-BN သည် အစိုင်အခဲ အီလက်ထရိုလိုက် အင်တာဖေ့စ် (SEI) အလွှာကို တည်ငြိမ်စေရန် ကူညီပေးပြီး တက်ကြွသော လီသီယမ်ကို စားသုံးပြီး စွမ်းရည် မှေးမှိန်ခြင်းကို အရှိန်မြှင့်ပေးသည့် စဉ်ဆက်မပြတ် SEI ပြိုကွဲမှုနှင့် ပြန်လည်ထူထောင်မှုကို လျှော့ချပေးသည်။

1 wt%–8 wt% ခန့် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော ပြင်းအားတွင် မိတ်ဆက်သောအခါ nano-h-BN ကို ဆီလီကွန်လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေခြင်း၊ လစ်သီယမ်-အိုင်းယွန်းပျံ့နှံ့မှုလမ်းကြောင်းများကို မြှင့်တင်ပေးခြင်းနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ကနဦး Coulombic စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းပေးနိုင်ပါသည်။ ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှုသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအတွင်း အပူကို ပိုမိုညီညာစွာ ဖြန့်ဝေပေးရာတွင်လည်း ကူညီပေးပြီး မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းလည်ပတ်မှုအတွင်း ဘေးကင်းရေးစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။

မေးခွန်း ၅: nano-h-BN ထုတ်ကုန်များအတွက် မည်သည့်စိတ်ကြိုက်ရွေးချယ်မှုများ ရရှိနိုင်သနည်း။

Nano-h-BN ကို အမှုန်အရွယ်အစား ဖြန့်ဖြူးမှု၊ သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုအဆင့်၊ မျက်နှာပြင်ကုသမှု၊ အပူစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ထုပ်ပိုးမှုအခြေအနေများ အပါအဝင် မတူညီသော ဘက်ထရီထုတ်လုပ်မှု လိုအပ်ချက်များအလိုက် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်။ မတူညီသော အသုံးချမှုများသည် မတူညီသော ပစ္စည်းဝိသေသလက္ခဏာများ လိုအပ်သောကြောင့် စိတ်ကြိုက်ဖြေရှင်းချက်များသည် ထုတ်လုပ်သူများအား အပူစီမံခန့်ခွဲမှုပစ္စည်းများ၊ ခွဲထုတ်အလွှာများ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများနှင့် အီလက်ထရိုလိုက်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများအတွက် h-BN စွမ်းဆောင်ရည်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်နိုင်စေပါသည်။ ပုံမှန်စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှု ကန့်သတ်ချက်များတွင် 99.0% မှ 99.9% အထိ BN သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု ၊ 50 nm မှ 5 μm အထိ အမှုန်အရွယ်အစားများ ၊ 5–50 m²/g ၏ သီးခြားမျက်နှာပြင်ဧရိယာများ နှင့် နာနိုစာရွက်များ၊ အလွှာများ သို့မဟုတ် ဂလိုဘယ်အမှုန်များကဲ့သို့သော ထိန်းချုပ်ထားသော ပုံသဏ္ဍာန်တို့ ပါဝင်သည်။ မျက်နှာပြင်ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနည်းပညာများကို ပိုလီမာချည်နှောင်ပစ္စည်းများ၊ အီလက်ထရိုလိုက်စနစ်များနှင့် အီလက်ထရိုလိုက်အရည်ပျော်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှုကို မြှင့်တင်ရန်၊ စုပုံမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် ပျံ့နှံ့မှုတည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေရန်အတွက်လည်း အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

အစိုင်အခဲဘက်ထရီများနှင့် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များကဲ့သို့သော ထိခိုက်လွယ်သောအသုံးချမှုများအတွက်၊ ဖုန်စုပ်စက်ဖြင့်ပိတ်ထားသော အလူမီနီယမ်သတ္တုပြားအိတ်များ၊ နိုက်ထရိုဂျင်ကာကွယ်ထားသောထုပ်ပိုးမှုနှင့် အစိုဓာတ်ခံနိုင်ရည်ရှိသောကွန်တိန်နာများ အပါအဝင် စိတ်ကြိုက်ထုပ်ပိုးမှုရွေးချယ်စရာများ ရရှိနိုင်ပါသည်။ အဆင့်မြင့်ဘက်ထရီစနစ်များတွင် တသမတ်တည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာစေရန်အတွက် အမှုန်အရွယ်အစားခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း၊ သန့်စင်မှုစမ်းသပ်ခြင်း၊ အပူစီးကူးမှုအကဲဖြတ်ခြင်းနှင့် အသုံးချမှုအလိုက် ဖော်မြူလာအကြံပြုချက်များ ပါဝင်နိုင်သည်။