Högkvalitativ precisionsaluminiumnitrid Ultratunt substrat

Översikt över aluminiumnitridsubstrat

Aluminiumnitridsubstrat är ett förstklassigt elektroniskt material. Det har hög värmeledningsförmåga, vilket möjliggör snabb värmeavledning och är därför ett utmärkt val för högpresterande elektroniska apparater. Dessutom bidrar dess goda elektriska isoleringsegenskaper till att förhindra kortslutningar. Dessutom har aluminiumnitridsubstrat fördelarna med låg dielektricitetskonstant och låg expansionskoefficient, vilket passar bra ihop med halvledarmaterial. Högpresterande utveckling, som ofta används inom 5G-kommunikation, LED, effektmoduler och andra områden för att underlätta miniatyrisering av elektronisk utrustning, är ett viktigt grundmaterial för den moderna elektronikindustrin.

Egenskaper hos aluminiumnitridsubstrat

Aluminiumnitridsubstrat har hög värmeledningsförmåga. De kan effektivt dra bort värme från elektroniska komponenter. Detta hjälper utrustningen att hålla en jämn temperatur under drift. Detta förlänger i sin tur komponenternas livslängd och ger en prestandaökning. Samtidigt har aluminiumnitridsubstrat också goda elektriska isoleringsegenskaper, vilket effektivt kan förhindra strömläckage och kortslutning för att säkerställa säker drift av elektronisk utrustning.

Dessutom har aluminiumnitridsubstrat en låg dielektricitetskonstant, vilket bidrar till att minska förluster under signalöverföring och förbättra signalöverföringskvaliteten. Dess värmeutvidgningskoefficient liknar den för halvledarmaterial som kisel, så den kan bättre matchas med komponenter som chips, vilket minskar stressproblem orsakade av inkonsekvent värmeutvidgning och förbättrar stabiliteten hos den övergripande strukturen.

Dessa egenskaper gör aluminiumnitridsubstrat mycket föredraget inom elektronisk kapsling, och används ofta inom 5G-kommunikation, LED-belysning, kraftelektronik och många andra högteknologiska områden för utveckling av modern elektronisk teknik för att ge viktigt materialstöd.

Specifikationstabell för aluminiumnitridsubstrat

Parameter	Specifikation
Material	Aluminiumnitrid (AlN)
Renhet	≥ 99.5%
Värmeledningsförmåga	170-220 W/m·K (vid rumstemperatur)
Dielektrisk konstant	8.5-9.5 (vid 1 MHz)
Dielektrisk styrka	>15 kV/mm
Volymresistivitet	>10^14 Ω·cm (vid 25°C)
Värmeutvidgningskoefficient	4.5-5.0 ppm/°C
Ytsträvhet	<0.5 µm (RMS)
Tjocklek	0.25-3.0 mm (anpassningsbar)
Storlek	Upp till 150 mm × 150 mm (större storlekar finns tillgängliga på begäran)
Planhet	±0.1 mm (typiskt)
parallel~~POS=TRUNC	±0.05 mm (typiskt)
Kantkvalitet	Avfasade eller rundade kanter för att förhindra flisning
Ytbehandling	Polerade, överlappade eller etsade ytor finns tillgängliga
Drifttemperaturens omfång	-50°C till +300°C (kontinuerlig)
Tillämpningar	Högpresterande LED-belysning, RF- och mikrovågsenheter, kraftelektronik, värmehanteringssystem

Spela

Tillämpningar av aluminiumnitridsubstrat

Aluminiumnitridsubstrat spelar en viktig roll inom många högteknologiska områden med sin utmärkta prestanda. Inom området elektronisk kapsling används aluminiumnitridsubstrat i stor utsträckning vid kapsling av högfrekventa och högeffektsintegrerade kretsar, vilket effektivt kan lösa värmeavledningsproblemet hos chips och säkerställa kretsarnas stabilitet under hög belastning. Inom 5G-kommunikation kan aluminiumnitridsubstrat användas för viktiga komponenter som basstationers effektförstärkare, där deras låga dielektriska konstant och höga värmeledningsförmåga bidrar till att förbättra signalöverföringseffektiviteten och minska strömförbrukningen.

Inom LED-belysningsindustrin kan aluminiumnitridsubstrat som värmeavledningssubstrat avsevärt förbättra värmeavledningsprestanda hos LED-lampor och -lyktor, vilket förlänger deras livslängd samtidigt som god optisk prestanda bibehålls. Dessutom används aluminiumnitridsubstrat även inom fordonselektronik, såsom kraftmodulkapsling för elfordon, för att ge tillförlitlig värmeavledning och isolering för högspännings- och högströmselektroniska komponenter.

Inom flyg- och rymdteknik gör aluminiumnitridsubstratets lätta vikt, höga hållfasthet och höga temperaturegenskaper det till ett idealiskt elektroniskt material som kan användas för satelliter, elektroniska styrsystem för flygplan och så vidare. Aluminiumnitridsubstrat, med sina unika egenskaper, är nu ett viktigt material för modern elektronik. Det stöder tillväxt och innovation inom många industrier.

Företagsprofil

RBOSCHCO är en betrodd global leverantör och tillverkare av kemiska material med över 12 års erfarenhet av att tillhandahålla kemikalier och nanomaterial av hög kvalitet. Företaget exporterar till många länder, såsom USA, Kanada, Europa, Förenade Arabemiraten, Sydafrika, Tanzania, Kenya, Egypten, Nigeria, Kamerun, Uganda, Turkiet, Mexiko, Azerbajdzjan, Belgien, Cypern, Tjeckien, Brasilien, Chile, Argentina, Dubai, Japan, Korea, Vietnam, Thailand, Malaysia, Indonesien, Australien, Tyskland, Frankrike, Italien, Portugal etc. Som en ledande tillverkare av nanoteknikutveckling dominerar RBOSCHCO marknaden. Vårt professionella team erbjuder perfekta lösningar för att förbättra effektiviteten i olika branscher, skapa värde och enkelt hantera olika utmaningar. Om du är intresserad, skicka ett e-postmeddelande till [email protected]

Betalningsvillkor

T/T, Western Union, Paypal, kreditkort etc.

Leveransperiod

Med flyg, till sjöss, med express, som kunderna begär.

5 vanliga frågor om aluminiumnitridsubstrat

F1: Vilka är produktionsprocesserna för aluminiumnitridsubstrat?

Vanliga tillverkningsprocesser inkluderar gjutning, direkt kopparbindning (DBC), aktiv metalllödning (AMB), tjockfilmstryckning (TPT), elektroavsättning av koppar (EDC), kemisk kopparplätering (CDC), direkt kopparplätering (DPC), etc. DBC-processen kan åstadkomma högtemperatursintring mellan kopparfolie och keramik; AMB-processen tillsätter aktiv metall mellan kopparfolie och keramik för att skapa en tunn film. Gjutningsmetoden är lämplig för storskalig produktion och kan göras till tunna filmer; DBC-processen kan åstadkomma högtemperatursintring av koppar och keramik, och AMB-processen tillför aktiv metalllödning mellan kopparfolie och keramik.

F2: Kan aluminiumnitridsubstrat tillverkas till flerskiktsplattor?

Aluminiumnitridsubstrat kan tillverkas till flerskiktskort, men den tekniska svårigheten är relativt stor, och speciella processer som LTCC (lågtemperatur-samsintringsteknik) eller HTCC (högtemperatur-samsintringsteknik) krävs.

F3: Vilka är de huvudsakliga användningsområdena för aluminiumnitridsubstrat?

Aluminiumnitridsubstrat används ofta inom 5G-kommunikation, LED-belysning, kraftelektronik, fordonsindustrin, elektronik, flyg- och rymdindustrin, militärt försvar och andra områden. Det används till exempel i 5G-basstationer för effektförstärkare och andra viktiga komponenter, som värmeavledningssubstrat i LED-belysning och för kapsling av kraftmoduler i elfordon.

F4: Är kostnaden för aluminiumnitridsubstrat hög?

Jämfört med andra keramiska material är tillverkningskostnaden för aluminiumnitrid på samma nivå och är vanligtvis billigare än kiselnitrid. Även om priset påverkas av en mängd olika faktorer som tillverkningsprocess, materialstorlek, förpackning och föroreningsinnehåll, är det kostnadseffektivt i många högpresterande applikationsscenarier tack vare dess utmärkta prestanda, vilket ger en mer tillförlitlig drift av utrustningen.

F5: Vilka är dimensionerna på aluminiumnitridsubstrat?

Generellt sett är den maximala storleken cirka 110 mm x 140 mm. Storleken är relativt liten, och det är svårt att göra som FR4-kortet under en längre tid; detta beror på att aluminiumnitridsubstratet är mer sprött, lätt att gå sönder, och storleken är för stor och uppfyller inte substratets egenskaper.